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【出售INFINEON】N沟道 MOSFET IPT015N10N5 OptiMOS™ 5功率晶体管,100V

【出售INFINEON】N沟道 MOSFET IPT015N10N5 OptiMOS™ 5功率晶体管,100V

来源:本站时间:2023-06-12浏览数:

深圳市明佳达电子有限公司【出售INFINEON】N沟道 MOSFET IPT015N10N5 OptiMOS™ 5功率晶体管,100V 全新原装 价格优势 质量保证!特点•准确的高频开关和同步记录。•优秀的门控产品(FOM)。•非常低的通电电阻RDS(on)。•N通道,正常水平•经测试,100%无损坏•无铅电镀…

深圳市明佳达电子有限公司【出售INFINEON】N沟道 MOSFET IPT015N10N5 OptiMOS™ 5功率晶体管,100V  全新原装 价格优势  质量保证!


特点

•准确的高频开关和同步记录。

•优秀的门控产品(FOM)。

•非常低的通电电阻RDS(on)。

•N通道,正常水平

•经测试,100%无损坏

•无铅电镀;符合RoHS标准

•根据JEDEC1)目标应用的认证


产品属性

系列: OptiMOS™  

FET 类型: N 通道  

技术: MOSFET(金属氧化物)  

漏源电压(Vdss): 100 V  

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :300A(Tc)  

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 6V,10V  

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 1.5 毫欧 @ 150A,10V  

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3.8V @ 250µA  

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 211 nC @ 10 V  

Vgs(最大值): ±20V  

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 16000 pF @ 50 V  

FET 功能: -  

功率耗散(最大值): 375W(Tc)  

工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ)  

安装类型: 表面贴装型  

供应商器件封装: PG-HSOF-8-1  

封装/外壳: 8-PowerSFN  

基本产品编号: IPT015

IPT015N10N5.jpg

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