深圳市明佳达电子有限公司供应、回收（64Mbit）S27KL0642GABHI033、S27KL0642GABHA020 伪静态随机存储器(PSRAM) HyperRAM™ KL 24-FBGA。器件说明：S27KL0642GABHI033 和 S27KL0642GABHA020 都是64Mbit 伪静态随机存储器(PSRAM)，均采用 24-FBGA 引脚封装。HYPERRAM™器件…
深圳市明佳达电子有限公司供应、回收（64Mbit）S27KL0642GABHI033、S27KL0642GABHA020 伪静态随机存储器(PSRAM) HyperRAM™ KL 24-FBGA。
器件说明：
S27KL0642GABHI033 和 S27KL0642GABHA020 都是64Mbit 伪静态随机存储器(PSRAM)，均采用 24-FBGA 引脚封装。HYPERRAM™器件是一种高速CMOS，自刷新DRAM，具有xSPI (Octal)接口。DRAM阵列使用需要定期刷新的动态单元。当内存没有被xSPI接口主(主机)主动读写时，设备内的刷新控制逻辑管理DRAM阵列上的刷新操作。由于主机不需要管理任何刷新操作，因此在主机看来，DRAM阵列似乎使用静态单元来保留数据而不进行刷新。因此，将内存更准确地描述为伪静态RAM (PSRAM)。
由于DRAM单元不能在读或写事务期间刷新，因此要求主机限制读或写突发传输长度，以便在需要时允许内部逻辑刷新操作。主机必须限制事务的持续时间，并允许额外的初始访问延迟，在新事务开始时，如果内存指示需要刷新操作。
关键特性：
• 外形小巧 – FBGA封装确保了较小的占板空间
• 低引脚数 – 低引脚数有助于简化设计并降低系统成本
• 低功耗 – 混合睡眠模式和部分阵列刷新可提高能效
• 高吞吐量 – 高读/写带宽能最大限度地提高系统性能
HYPERRAM具有高吞吐量、低引脚数、外形小巧和高能效等优点，这使它成为适用于汽车、工业和通信领域的众多应用的扩展存储理想之选。
器件规格：
存储器类型：易失
存储器格式：PSRAM
技术：PSRAM（伪 SRAM）
存储容量：64Mbit
存储器组织：8M x 8
存储器接口：HyperBus
时钟频率：200 MHz
写周期时间 - 字，页：35ns
访问时间：35 ns
电压 - 供电：2.7V ~ 3.6V
工作温度：-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：表面贴装型
封装/外壳：24-VBGA
供应商器件封装：24-FBGA（6x8）
基本产品编号：S27KL0642
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