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罗姆晶体管《QH8MA4TCR/QH8MA4》MOSFET - 阵列 30V 9A,8A 1.5W 表面贴装型

罗姆晶体管《QH8MA4TCR/QH8MA4》MOSFET - 阵列 30V 9A,8A 1.5W 表面贴装型

来源:本站时间:2023-05-30浏览数:

深圳市明佳达电子有限公司出售罗姆晶体管《QH8MA4TCR/QH8MA4》30V Nch+Pch 小信号 MOSFET 全新原装,质量保证!产品描述ROHM Semiconductor的硅功率MOSFET具有超快的开关速度和低导通电阻。这些MOSFET有多种封装,包括微型的0604尺寸,以节省各种设计中的空间。ROHM Semi…

深圳市明佳达电子有限公司出售罗姆晶体管《QH8MA4TCR/QH8MA4》30V Nch+Pch 小信号 MOSFET 全新原装,质量保证!


产品描述

ROHM Semiconductor的硅功率MOSFET具有超快的开关速度和低导通电阻。这些MOSFET有多种封装,包括微型的0604尺寸,以节省各种设计中的空间。


ROHM Semiconductor 硅功率 MOSFET 提供一系列驱动类型(0.9V 至 20V),使其非常适合各种应用。


特性

1) 低导通电阻

2) 小型表面贴装封装(TSMT8)

3) 无铅电镀;符合RoHS标准

4) 无卤素


应用

开关


产品属性

技术: MOSFET(金属氧化物)  

配置: N 和 P 沟道  

FET 功能: -  

漏源电压(Vdss): 30V  

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :9A,8A  

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 16 毫欧 @ 9A,10V  

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.5V @ 1mA  

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 15.5nC @ 10V  

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 640pF @ 15V  

功率 - 最大值: 1.5W  

工作温度: 150°C(TJ)  

安装类型: 表面贴装型  

封装/外壳: 8-SMD,扁平引线  

供应商器件封装: TSMT8  

基本产品编号: QH8MA4 

QH8MA4TCR.jpg

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