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供应 英飞凌 IGD03N120S7 1200V 3A IGBT7 S7 晶体管

供应 英飞凌 IGD03N120S7 1200V 3A IGBT7 S7 晶体管

来源：本站时间：2024-12-05浏览数：

深圳市明佳达电子供应 英飞凌 IGD03N120S7 1200V 3A IGBT7 S7 晶体管IGD03N120S7 的产品描述IGD03N120S7 是硬开关 1200 V、3 A 单 TRENCHSTOP™ IGBT7 S7 分立器件，采用 TO-252 封装，具有低 VCEsat，可在目标应用中实现极低的传导损耗。IGD03N120S7 的规格产品类别：IG…

深圳市明佳达电子供应 英飞凌 IGD03N120S7 1200V 3A IGBT7 S7 晶体管


IGD03N120S7 的产品描述

IGD03N120S7 是硬开关 1200 V、3 A 单 TRENCHSTOP™ IGBT7 S7 分立器件，采用 TO-252 封装，具有低 VCEsat，可在目标应用中实现极低的传导损耗。


IGD03N120S7 的规格

产品类别：IGBT

技术：硅

封装/外壳：PG-TO252-3

配置：单

集电极-发射极电压 VCEO 最大值：1.2 kV

集电极-发射极饱和电压：1.65 V

25 C 时的连续集电极电流：10 A

Pd - 功率耗散：45 W

最低工作温度：- 40 C

最高工作温度：+ 150 C

栅极-发射极泄漏电流：100 nA


IGD03N120S7 的特性

VCE = 1200 V

IC = 3 A

Tvj = 150°C 时的低饱和电压 VCEsat = 2 V

短路稳固性 8 µs

宽范围 dv/dt 可控性


IGD03N120S7 的优点

用于高电压辅助电源的紧凑型设计

减少 EMI 和电磁干扰


IGD03N120S7 的应用

工业电机驱动和控制


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