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  • 明佳达电子——供应 [ON] NCP45770IMN24TWG 24V, 20A ecoSWITCH™ 受保护电源开关

    明佳达电子——供应 [ON] NCP45770IMN24TWG 24V, 20A ecoSWITCH™ 受保护电源开关

    明佳达电子——供应 [ON] NCP45770IMN24TWG 24V, 20A ecoSWITCH™ 受保护电源开关NCP45770IMN24TWG:受保护电源开关——24V、20A 集成、ecoSWITCH™ 负载开关、故障保护。NCP45770IMN24TWG 是 ecoSwitch™ 高级负载管理、受控负载开关,具有超低 RON。NCP45770IMN24TWG 负…

    来源:本站 时间:2025-01-21 所属栏目:公司动态
  • 面向汽车应用的(NXP)NCJ29D5BHN新一代超宽带(UWB)IC

    面向汽车应用的(NXP)NCJ29D5BHN新一代超宽带(UWB)IC

    描述‌NCJ29D5BHN是新一代超宽带(UWB)IC系列的第一款产品,专用于满足全球汽车业的连接和功能安全需求‌。它实现了多个引人注目的新用例,包括基于智能手机的汽车门禁、免下车付款、智能手机代客泊车等功能‌。产品属性工作频率:6 GHz to 8.5 GHz封装 / 箱体:HVQFN-4…

    来源:本站 时间:2025-01-20 所属栏目:公司动态
  • 供应(Samtec)TSM-115-01-L-SH-A-P-TR 连接器 15POS 2.54MM

    供应(Samtec)TSM-115-01-L-SH-A-P-TR 连接器 15POS 2.54MM

    简介‌TSM-115-01-L-SH-A-P-TR‌是一款由SAMTEC生产的连接器,主要用于板对板连接。该连接器能够承受高达2500次的插拔操作,显示出其高度的可靠性和耐用性‌。这些特点使得TSM-115-01-L-SH-A-P-TR连接器在需要高可靠性和长寿命连接的电子设备中表现出色。规格连接器类型:…

    来源:本站 时间:2025-01-20 所属栏目:公司动态
  • Marvell 88E6176-A1-TFJ2C000 一款高性能的七端口千兆以太网交换芯片

    Marvell 88E6176-A1-TFJ2C000 一款高性能的七端口千兆以太网交换芯片

    概述88E6176-A1-TFJ2C000是Marvell推出的一款高性能的7端口千兆以太网交换芯片,具有低功耗和Energy Efficient Ethernet(EEE)技术,适用于各种网络设备以实现节能减排‌‌。技术规格和功能特性88E6176芯片具备以下主要技术特点和功能:‌低功耗设计‌:通过EEE技术,该…

    来源:本站 时间:2025-01-20 所属栏目:公司动态
  • 晶体管_IPT60R035CFD7_600V CoolMOS™ CFD7 功率晶体管

    晶体管_IPT60R035CFD7_600V CoolMOS™ CFD7 功率晶体管

    深圳市明佳达电子有限公司全新原装英飞凌晶体管_IPT60R035CFD7_600V CoolMOS™ CFD7 功率晶体管 IGBT TRENCH 650V 90A TO247-3英飞凌对谐振大功率拓扑的解答600V CoolMOS™ CFD7 是英飞凌推出的新型高压超结 MOSFET 技术,具有集成快速体二极管,完善了CoolMOS™ 7系列。…

    来源:本站 时间:2025-01-20 所属栏目:公司动态
  • 第五代高速系列 - IKW75N65EH5 - 高速 650 V 硬开关 IGBT TRENCHSTOP™ 5

    第五代高速系列 - IKW75N65EH5 - 高速 650 V 硬开关 IGBT TRENCHSTOP™ 5

    第五代高速系列 - IKW75N65EH5 - 高速 650 V 硬开关 IGBT TRENCHSTOP™ 5 与 RAPID 1 快速软反并联二极管共同封装在 TO-247 封装中,被定义为 “同类最佳 ”IGBT。描述:IKW75N65EH5是一款 650 V、75 A IGBT,采用快速软反并联二极管,TO-247 封装。它具有开关损耗低、效…

    来源:本站 时间:2025-01-20 所属栏目:公司动态
  • INFINEON IPP051N15N5 150V N 沟道 OptiMOS™ 5 功率 MOSFET 晶体管

    INFINEON IPP051N15N5 150V N 沟道 OptiMOS™ 5 功率 MOSFET 晶体管

    深圳市明佳达电子有限公司供应 INFINEON IPP051N15N5 150V N 沟道 OptiMOS™ 5 功率 MOSFET 晶体管IPP051N15N5 的产品说明IPP051N15N5 OptiMOS™ 5 150 V 功率 MOSFET 特别适用于低压驱动(如叉车和电动摩托车)以及电信和太阳能应用。IPP051N15N5 在不影响 FOM gd 和 FO…

    来源:本站 时间:2025-01-20 所属栏目:公司动态
  • 供应 Marvell 线性驱动器:长途/地铁、数据中心内部

    供应 Marvell 线性驱动器:长途/地铁、数据中心内部

    深圳市明佳达电子有限公司 供应 Marvell 线性驱动器:长途/地铁、数据中心内部深圳市明佳达电子有限公司是一家专业的电子元器件经销商,长期备有大量现货库存,主要经营:集成电路IC、5G芯片、新能源IC、物联网芯片、蓝牙芯片、汽车芯片、人工智能IC、以太网IC、内存芯片…

    来源:本站 时间:2025-01-20 所属栏目:公司动态
  • 出售 [NXP] MC56F8037VLHR 56800E 内核——16 位数字信号控制器 (DSC)

    出售 [NXP] MC56F8037VLHR 56800E 内核——16 位数字信号控制器 (DSC)

    深圳市明佳达电子有限公司:出售 [NXP] MC56F8037VLHR 56800E 内核——16 位数字信号控制器 (DSC)MC56F8037VLHR 是基于 56800E 内核的数字信号控制器 (DSC) 系列中的一员。它将 DSP 的处理能力、微控制器的功能和灵活的外设组合在一个芯片上,创造出极具成本效益的解决方…

    来源:本站 时间:2025-01-20 所属栏目:公司动态
  • LPC802M001JHI33基于Arm Cortex-M0+内核的微控制器(MCU)

    LPC802M001JHI33基于Arm Cortex-M0+内核的微控制器(MCU)

    概述LPC802M001JHI33是一款基于Arm Cortex-M0+的高性价比32位MCU,工作频率高达15 MHz。LPC80x MCU 系列支持高达 32 KB 的闪存和 4 KB 的 SRAM。该系列配备功耗优化的内核,采用流行的小规格封装,单独的电源轨可支持电平移动。技术参数核心处理器:ARM Cortex-M0+内核规…

    来源:本站 时间:2025-01-18 所属栏目:公司动态
  • Infineon(IRFH5215TRPBF)150V 单 N 沟道 StrongIRFET™ 功率 MOSFET

    Infineon(IRFH5215TRPBF)150V 单 N 沟道 StrongIRFET™ 功率 MOSFET

    产品说明IRFH5215TRPBF是一款由Infineon生产的MOSFET器件,采用PQFN 5x6封装,属于N沟道功率MOSFET。Infineon 的 StrongIRFET™ 功率 MOSFET 系列针对低 RDS(on)和高电流能力进行了优化。这些器件非常适合需要高性能和耐用性的低频应用。全面的产品组合适用于广泛的应用…

    来源:本站 时间:2025-01-18 所属栏目:公司动态
  • 介绍一款(Mitsubishi)CM225DX-24S1 IGBT模块 1200 V 225 A

    介绍一款(Mitsubishi)CM225DX-24S1 IGBT模块 1200 V 225 A

    ‌介绍CM225DX-24S1是一款由三菱电机(Mitsubishi Electric)生产的IGBT模块,主要用于高功率开关应用。‌技术参数‌额定功率‌:1250W‌额定电压‌:1200V额定电流:225A最高工作温度:175C主要特点产品阵容中新增内置三相转换器、逆变器和制动电路(CIB)的产品,有助于…

    来源:本站 时间:2025-01-18 所属栏目:公司动态
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