深圳市明佳达电子有限公司全新原装出售ST微控制器 STM32H743IIT6 基于高性能Arm Cortex-M7 32位RISC内核，工作频率高达400MHz。产品型号：STM32H743IIT6年份：最新23+封装：LQFP176说明：Arm Cortex-M7内核具有浮点单元 (FPU) 精度，支持Arm双精度（符合IEEE 754标准）和…
深圳市明佳达电子 供应 TI 片上系统 DRA829VMTGBALFRQ1 8 端口以太网产品描述DRA829VMTGBALFRQ1 是双 Arm Cortex-A72、四 Cortex-R5F、8 端口以太网和 4 端口 PCIe 交换机，封装为 827-FCBGA (24x24)。功能特点每个双核 Arm Cortex-A72 集群共享 1MB 二级缓存3D GPU Powe…
深圳市明佳达电子有限公司 供应（TI）LMP92066PWPR 双温控 DAC，16-HTSSOP产品描述LMP92066PWPR 是一款高度集成的温控型双 DAC。它有两个模拟输出，支持两个输出范围：零至正五伏和零至负五伏。每个输出可通过专用控制引脚单独切换到负载。产品属性位数：12数模转换…
深圳市明佳达电子有限公司回收、供应（TI）TCAN1462VDRBRQ1 具有 VIO 和待机功能的汽车类信号改善 CAN FD 收发器。概述：TCAN1462V-Q1 是高速控制器局域网 (CAN) 收发器，满足 ISO 11898-2:2016 高速CAN 规范的物理层要求和 CiA 601-4 信号改善功能(SIC) 规范。这些器件可…
明佳达电子全新原装供应单片机 MSP430F2481TPMR 16位超低功耗微控制器 (MCU) 只做原装 价格优势 质量保证 欢迎咨询qq1668527835！！！批号：最新23+封装：LQFP64说明：德州仪器 （TI） MSP430™ 系列超低功耗微控制器包含几个器件，这些器件特有针对多种应用的不同外…
明佳达电子有限公司【分销TI】TPS63070RNMR 宽输入电压（2V 至 16V）降压/升压转换器 全新原装，质量保证，欢迎致电咨询！器件概述TPS63070RNMR高输入电压降压-升压转换器是一款高效的低静态电流降压-升压转换器。这些器件适用于输入电压高于或低于输出电压的应用。升压…
深圳市明佳达电子有限公司 供应，回收 (ST) 高性能 STM32G0B1CCU6 微控制器 IC，48-UFQFN产品描述STM32G0B1CCU6 基于高性能的 Arm Cortex-M0+ 32 位 RISC 内核，工作频率高达 64 MHz。它们具有高集成度，适用于消费、工业和家电领域的各种应用，并为物联网（IoT）解决方案…
深圳市明佳达电子有限公司 供应 Microchip 8 位微控制器 ATMEGA2561-16AU 系统可编程闪存芯片产品描述ATMEGA2561-16AU 具有读写功能的 256K 字节系统内可编程闪存、4K 字节 EEPROM、8K 字节 SRAM、54/86 条通用 I/O 线、32 个通用工作寄存器、实时计数器 (RTC)、6 个具有…
深圳市明佳达电子有限公司（出售TI）SN65HVDA1040BQDRQ1 EMC 经优化的汽车类 CAN 收发器 1Mbps 8SOIC，此款产品我们同时也有在回收，如有需求，欢迎致电联系我们。1、概述：SN65HVDA1040B-Q1 器件符合或超过 ISO 11898 标准的要求，可用于使用控制器局域网 (CAN) 的 应用…
深圳市明佳达电子有限公司长期供应TI电源管理IC TPS650942A0RSKR 适用于 Intel™ Apollo Lake 平台的 TPS65094 PMIC产品描述TPS650942A0RSKR 器件是一款单芯片解决方案电源管理集成芯片 (PMIC)，专为最新的 Intel™处理器进行设计，这些处理器以通过 2 节、3 节或 4 节锂…
![[供应，收购] 英飞凌 IKD06N60RFATMA1 600V 单 IGBT晶体管，TO-252-3](/upload/202308/30/202308301259375610.jpg)
深圳市明佳达电子有限公司 [供应，收购] 英飞凌 IKD06N60RFATMA1 600V 单 IGBT 晶体管，TO-252-3产品属性IGBT 类型：沟槽型场截止电压 - 集射极击穿（最大值）：600 V电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：12 A电流 - 集电极脉冲 (Icm)：18 A不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）…
深圳市明佳达电子 供应 ST N 沟道单 FET 功率 MOSFET 晶体管 STL24N60M6产品描述STL24N60M6 是单 FET 功率 MOSFET 晶体管，栅极输入电阻低，工作温度为 -55C ~ 150C (TJ)。特点降低开关损耗单位面积 RDS(on) 比上一代产品低低栅极输入电阻100% 通过雪崩测试齐纳保护应用开…
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