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    来源:本站 时间:2024-06-19 所属栏目:公司动态
  • 瑞萨 R8A774C0HA01BG 超高性能双核微处理器

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    来源:本站 时间:2024-06-19 所属栏目:公司动态
  • 供应 [TI] PMIC 芯片:供应低压差 (LDO) 稳压器、栅极驱动器、降压-升压型控制器

    供应 [TI] PMIC 芯片:供应低压差 (LDO) 稳压器、栅极驱动器、降压-升压型控制器

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    来源:本站 时间:2024-06-19 所属栏目:公司动态
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    DSC557-0333FI1时钟发生器是一款无晶振、双输出PCI express时钟发生器,符合Gen1、Gen2、Gen3和 Gen4规范。

    来源:本站 时间:2024-06-19 所属栏目:公司动态
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    CMPA0560008S是一款10W封装的MMIC HPA,采用高性能、0.15um GaN on SiC生产工艺。该放大器的工作频率范围为0.5 - 6 GHz,支持各种RF应用,如电子战、测试和测量、雷达等。

    来源:本站 时间:2024-06-19 所属栏目:公司动态
  • 供应,回收 ESP32-S2-MINI-2【Espressif】2.4GHz 通用 Wi-Fi MCU 模块

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    深圳市明佳达电子有限公司 供应,回收 ESP32-S2-MINI-2【Espressif】2.4GHz 通用 Wi-Fi MCU 模块产品概览ESP32-S2-MINI-2 是一款功能强大的通用 Wi-Fi MCU 模块,具有丰富的外设。它是与物联网(IoT)相关的各种应用场景(如可穿戴电子设备和智能家居)的理想选择。ESP32…

    来源:本站 时间:2024-06-19 所属栏目:公司动态
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    来源:本站 时间:2024-06-18 所属栏目:公司动态
  • 意法超低功耗MCU STM32U073RCT6 基于Arm® Cortex®-M0+内核

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    深圳市明佳达电子有限公司供应及收购意法超低功耗MCU STM32U073RCT6 基于Arm Cortex-M0+内核,带 256 Kbytes 闪存、LCD、USB 和 56 MHz CPU描述STM32U073x8/B/C 器件是基于高性能 Arm Cortex-M0+ 32 位 RISC 内核的超低功耗微控制器,工作频率高达 56 MHz。STM32U073x8/B…

    来源:本站 时间:2024-06-18 所属栏目:公司动态
  • 推出英飞凌MOSFET IRFP4110PBF 单 N 沟道 StrongIRFET™ 功率 MOSFET

    推出英飞凌MOSFET IRFP4110PBF 单 N 沟道 StrongIRFET™ 功率 MOSFET

    深圳市明佳达电子有限公司全新推出英飞凌MOSFET IRFP4110PBF 采用 TO-247 封装的 100V 单 N 沟道 StrongIRFET™ 功率 MOSFETStrongIRFET™ 功率 MOSFET 系列针对低 RDS(导通)和高电流能力进行了优化。这些器件非常适合要求性能和坚固性的低频应用。全面的产品组合可满足…

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  • 供应【Qorvo】分立开关,Wi-Fi 6 前端模块,超宽带 (UWB) 收发器

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  • 供应莱迪思 FPGA 产品:MachXO5-NX FPGA、MachXO3 FPGA、MachXO2 FPGA、L-ASC10 FPGA

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    深圳市明佳达电子有限公司 供应莱迪思 FPGA 产品:MachXO5-NX FPGA、MachXO3 FPGA、MachXO2 FPGA、L-ASC10 FPGA深圳市明佳达电子有限公司是一家全球知名品牌的电子元器件授权独立分销商,公司1996年在深圳成立,并陆续在香港、日本、俄罗斯、台湾设立分支机构。公司已获得…

    来源:本站 时间:2024-06-18 所属栏目:公司动态
  • 供应 Renesas MOSFET 晶体管 NP30N06QDK-E1-AY 双 N 沟道功率 MOSFET 晶体管

    供应 Renesas MOSFET 晶体管 NP30N06QDK-E1-AY 双 N 沟道功率 MOSFET 晶体管

    深圳市明佳达电子有限公司 供应 Renesas MOSFET 晶体管 NP30N06QDK-E1-AY 双 N 沟道功率 MOSFET 晶体管产品概述NP30N06QDK-E1-AY 是一款双 N 沟道 MOS 场效应晶体管,设计用于大电流开关应用。产品属性产品类别: MOSFET 技术: Si 硅 封装/外壳:HSON-8 晶体管极性 N…

    来源:本站 时间:2024-06-18 所属栏目:公司动态
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