1ED2127S65F是一款650V高压侧栅极驱动器IC,适用于 IGBT 、 MOSFET 和 SiC MOSFET 的驱动。 其主要特点包括:
英飞凌薄膜SOI技术
最大阻断电压:+650V
输出拉/灌电流:±4A
最大电源电压:25 V
集成式超快速、低RDS(ON) 自举二极管
负VS瞬态抗扰度:100V
电源过流和欠压检测
多功能RCIN/故障/使能 (RFE) 具有可编程故障清除时间
传播延迟:小于100ns
PG-DSO-8 封装
根据JEDEC47/20/22相关测试,符合工业应用要求
符合RoHS标准
应用场景
1ED2127S65F适用于多种高功率应用,特别是在需要高压和高电流驱动的场合。其集成保护功能和高速响应能力使其在电机控制和驱动系统中表现出色,能够提供稳定的驱动性能和较高的系统可靠性。此外,其紧凑的DSO-8封装和集成自举二极管的设计简化了电路设计,降低了系统成本。
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SAK-TC1791F-512F240EP AB
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