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LMG3522R030RQSR 650V 30mΩ GaN FET具有集成式驱动器和保护功能，适用于开关模式电源转换器。LMG3522R030集成了一个硅驱动器，可实现高达150V/ns的开关速度。与分立式硅栅极驱动器相比，TI的集成式精密栅极偏置可实现更高的开关SOA。这种集成与TI’的低电感封装相结合，可在硬开关电源拓扑中提供干净的开关和最小的振铃。可调栅极驱动强度允许将压摆率控制在20V/ns至150V/ns之间，可用于主动控制EMI并优化开关性能。

特性

带集成栅极驱动器的650V GaN-on-Si FET

集成高精度栅极偏置电压

FET保持关断：200V/ns

开关频率：2MHz

20V/ns至150V/ns压摆率，用于优化开关性能和缓解EMI

在7.5V至18V电源下工作

高级电源管理

数字温度PWM输出

强大的保护功能

响应时间少于100ns的逐周期过流和锁存短路保护

硬开关时可承受720V浪涌

针对内部过热和UVLO监控的自我保护

顶部冷却12mm x 12mm VQFN封装可隔离电气和热路径，实现最低功耗环路电感

应用

开关模式电源转换器

商户网络和服务器PSU

商用电信用整流器

光伏逆变器和工业电机驱动器

不间断电源

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  答：所有上架的在线商品均可在线即可下单，但也考虑到现货库存流动性比较大，目前还无法做到100%的精准。如有异常，您可以在线联系我公司并给出对应的 解决方案。

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