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UCC27523DR 器件是双通道、高速、低侧栅极驱动器，能够高效地驱动 MOSFET 和 IGBT 电源开关。 UCC27523DR采用能够尽可能减少击穿电流的设计，可 以为容性负载提供高达 5A 拉电流和 5A 灌电流的高峰 值电流脉冲，同时实现轨到轨驱动能力以及超短的传播 延迟（通常为 13ns）。除此之外，此驱动器使得两个 通道之间的内部传播延迟相匹配。这些延迟非常适合同 步整流器等对于双栅极驱动的时间严格要求的应用。这 也使得两个通道并联，以有效地提高电流驱动能力或者 使用一个输入信号驱动两个并联开关。输入引脚阈值基 于 TTL 和 CMOS 兼容的低压逻辑，此逻辑是固定的且 与 VDD 电源电压无关。高低阈值间的宽滞后提供了记 好的抗噪声性能。

UCC27523DR 产品参数

驱动配置： 低端  

通道类型： 独立式  

驱动器数： 2  

栅极类型： IGBT，MOSFET（N 沟道）  

电压 - 供电： 4.5V ~ 18V  

逻辑电压 - VIL，VIH： 1V，2.3V  

电流 - 峰值输出（灌入，拉出）： 5A，5A  

输入类型： 反相  

上升/下降时间（典型值）： 7ns，6ns  

工作温度： -40°C ~ 140°C（TJ）  

安装类型： 表面贴装型  

封装/外壳： 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）  

供应商器件封装： 8-SOIC 

UCC27523DR 应用

• 开关模式电源

• 直流/直流转换器

• 电机控制，太阳能

• 用于诸如 GaN 等新上市的宽带隙功率器件的栅极驱动

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