S25FL512SAGBHIC13是由英飞凌(Infineon)生产的一款高性能NOR闪存芯片,采用SPI接口,适用于多种嵌入式应用。它基于MIRRORBIT™技术,具有高密度、低功耗和快速读写性能,支持单、双和四SPI模式。
S25FL512SAGBHIC13规格参数
制造商:Infineon Technologies
存储类型:非易失性存储器(NOR Flash)
存储容量:512Mbit(64MB)
存储器接口:SPI - Quad I/O
工作电压:2.7V 至 3.6V
工作温度:-40°C 至 +85°C
封装形式:24-BGA(8x6mm)
时钟频率:最高133MHz
访问时间:8ns
擦写耐久性:100,000次
数据保持时间:20年
S25FL512SAGBHIC13产品特性
SPI接口支持:单、双和四SPI模式。
执行就地(XiP):支持直接从闪存执行代码。
高级扇区保护(ASP):提供扇区保护功能,防止意外修改。
数据保持时间:数据保持时间长达20年。
擦写耐久性:至少100,000次擦写周期。
自动ECC:内部硬件错误校正码(ECC)生成,单比特错误校正。
灵活的擦除操作:支持扇区擦除和块擦除。
多种读取模式:支持Normal、Fast、Dual、Quad、Fast DDR、Dual DDR和Quad DDR读取命令。
AutoBoot:上电或复位后自动执行预选地址的Normal或Quad读取命令。
扩展寻址:支持32位地址扩展,适用于高密度存储。
高密度与高性能:512Mbit密度,133MHz时钟频率,适用于多种嵌入式应用。
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