CY8C4246AZI-M443是一款由(Infineon)推出的PSOC® 4系列微控制器。 该器件采用ARM Cortex-M0核心处理器,核心尺寸为32位,工作速度为48MHz。其封装形式为48-TQFP(7x7),适用于多种应用场景。
技术规格
系列:PSOC 4200M
核心处理器:ARM® Cortex®-M0
内核规格:32 位单核
速度:48MHz
连接能力:I2C,IrDA,LINbus,Microwire,智能卡,SPI,SSP,UART/USART
外设:欠压检测/复位,电容感应,LCD,LVD,POR,PWM,智能检测,WDT
I/O 数:38
程序存储容量:64KB(64K x 8)
程序存储器类型:闪存
EEPROM 容量:-
RAM 大小:8K x 8
电压 - 供电 (Vcc/Vdd):1.71V ~ 5.5V
数据转换器:A/D 16x12b
振荡器类型:内部
工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:48-TQFP(7x7)
封装/外壳:48-LQFP
基本产品编号:CY8C4246
应用场景
CY8C4246AZI-M443适用于多种需要低功耗和高集成度的应用,如智能仪表、工业控制、医疗设备、智能家居等。其丰富的外设和灵活的连接性使其在各种嵌入式系统中表现出色。
型号
品牌
封装
数量
描述
答:所有上架的在线商品均可在线即可下单,但也考虑到现货库存流动性比较大,目前还无法做到100%的精准。如有异常,您可以在线联系我公司并给出对应的 解决方案。
答:我们的自营商品均采自合作的国内外原厂或授权代理商,来源均可追溯,确保原装正品。
答:目前我们自营代理的品牌包含TI,ST,ADI,NXP,LATTICE,CYPRESS,INFINEON,XILINX等一线品牌,其他渠道均为原厂及代理渠道。如有需要,我们可以针对具体品牌型号来沟通确认。
答:可以通过网站上询价,也可以通过电话以及邮箱咨询。
答:大部分商品信息中都有标注货期,您可根据货期估计商品的发货时间,具体到货时间根据商品具体所在的仓库、您所选择的物流方式而定。
答:可以为个人用户开具普通发票,也可以为企业用户开具增值税专用发票。
英飞凌科技公司于1999年4月1日在德国慕尼黑正式成立,是全球领先的半导体公司之一。其前身是西门子集团的半导体部门,于1999年独立,2000年上市。其中文名称为亿恒科技,2002年后更名为英飞凌科技。 总部位于德国Neubiberg的英飞凌科技股份公司,为现代社会的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一个高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和数据存储器、总线、总线仲裁、中断控制器、外围控制处理器和DMA控制器以及若干片上外设。TC1791旨在满足最苛刻的嵌入式控制系统应用的需要,在这些应用中,价格/性能、实时响应性、计算能…ISC012N03LF2S
ISC012N03LF2S是(Infineon)推出的StrongIRFET™ 2 30V功率MOSFET,其具有270 A电流,主要针对低开关频率和高开关频率进行了优化,实现了设计灵活性。以下是其主要规格:FET 类型:N 通道技术:MOSFET(金属氧化物)漏源电压(Vdss):30 V25C 时电流 - 连续漏极 (Id):…ISC033N03LF2S
ISC033N03LF2S器件是一款108 A、StrongIRFET™ 2 30V功率MOSFET,具有3.3 mOhm的同类最佳RDS(on),采用SuperSO8 5x6封装。该产品满足从低到高开关频率的广泛应用。ISC033N03LF2S主要具备以下参数:FET 类型:N 通道技术:MOSFET(金属氧化物)漏源电压(Vdss):30 V25C …ISZ056N03LF2S
ISZ056N03LF2S是(Infineon)推出的StrongIRFET™ 2 30V功率MOSFET,具有 72 A 电流,主要针对低开关频率和高开关频率进行了优化,实现了设计灵活性。ISZ056N03LF2S具有很高的能效,可提高系统的整体性能,同时还具有出色的稳健性。主要规格FET 类型:N 通道技术:MOSFET…ISZ033N03LF2S
ISZ033N03LF2S是(Infineon)推出的109 A、StrongIRFET™ 2 30V功率MOSFET,主要针对低开关频率和高开关频率进行了优化,实现了设计灵活性。以下是其关键参数:FET 类型:N 通道技术:MOSFET(金属氧化物)漏源电压(Vdss):30 V25C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A(Ta),…IPD030N03LF2S
IPD030N03LF2S是【Infineon】推出的一款99 A、StrongIRFET™ 2 30V功率MOSFET,具有很高的能效,可提高系统的整体性能,同时还具有出色的稳健性。IPD030N03LF2S主要针对低开关频率和高开关频率进行了优化,实现了设计灵活性。以下是其核心特性:针对各种应用进行了优化N沟…电话咨询:86-755-83294757
企业QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/ 2850151585
服务时间:9:00-18:00
联系邮箱:chen13410018555@163.com/sales@hkmjd.com
公司地址:广东省深圳市福田区振中路新亚洲国利大厦1239-1241室
CopyRight©2022 版权归明佳达电子公司所有 粤ICP备05062024号-12
官方二维码
友情链接: