TLE49SRP3是英飞凌(Infineon)XENSIV™系列高精度磁角度传感器,用于测量 0° 至 360° 范围内的绝对角度位置。传感器提供数字输出接口。空间分离的霍尔单元可实现磁场的杂散场鲁棒测量,信号调节电路在集成电路 (IC) 上实现。TLE49SRP3传感器支持 PWM、SENT 和 SPC 接口,并根据 ISO 26262 作为独立安全元件开发。
TLE49SRP3 应用
• 底盘高度传感器
• 踏板位置传感器
• 节气门位置传感器
• 转向角传感器
• 雨刮器位置传感器
基本参数
产品:TLE49SRP3
工作电源电流:13.5 mA
工作点最小值/最大值:20 mT to 90 mT
工作电源电压:4.5 V to 5.5 V
工作温度:- 40°C 至 + 175°C
安装风格:PCB Mount
封装 / 箱体:PG-SSO-3
产品类型:Board Mount Hall Effect / Magnetic Sensors
分辨率:16 bit
端接类型:Through Hole
型号
品牌
封装
数量
描述
答:所有上架的在线商品均可在线即可下单,但也考虑到现货库存流动性比较大,目前还无法做到100%的精准。如有异常,您可以在线联系我公司并给出对应的 解决方案。
答:我们的自营商品均采自合作的国内外原厂或授权代理商,来源均可追溯,确保原装正品。
答:目前我们自营代理的品牌包含TI,ST,ADI,NXP,LATTICE,CYPRESS,INFINEON,XILINX等一线品牌,其他渠道均为原厂及代理渠道。如有需要,我们可以针对具体品牌型号来沟通确认。
答:可以通过网站上询价,也可以通过电话以及邮箱咨询。
答:大部分商品信息中都有标注货期,您可根据货期估计商品的发货时间,具体到货时间根据商品具体所在的仓库、您所选择的物流方式而定。
答:可以为个人用户开具普通发票,也可以为企业用户开具增值税专用发票。
英飞凌科技公司于1999年4月1日在德国慕尼黑正式成立,是全球领先的半导体公司之一。其前身是西门子集团的半导体部门,于1999年独立,2000年上市。其中文名称为亿恒科技,2002年后更名为英飞凌科技。 总部位于德国Neubiberg的英飞凌科技股份公司,为现代社会的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一个高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和数据存储器、总线、总线仲裁、中断控制器、外围控制处理器和DMA控制器以及若干片上外设。TC1791旨在满足最苛刻的嵌入式控制系统应用的需要,在这些应用中,价格/性能、实时响应性、计算能…IAUC90N10S5N062
【Infineon 汽车MOSFET】IAUC90N10S5N062:100V、OptiMOS ™-5功率MOSFET晶体管,PG-TDSON-8型号:IAUC90N10S5N062封装:PG-TDSON-8 类型:功率MOSFET晶体管IAUC90N10S5N062 规格参数:系列:OptiMOS™ 5FET 类型:N 通道技术:MOSFET(金属氧化物)漏源电压(Vdss):10…IAUC24N10S5L300
IAUC24N10S5L300(汽车 MOSFET):100V、OptiMOS ™-5功率MOSFET晶体管,PG-TDSON-8IAUC24N10S5L300 产品特性:用于汽车的 OptiMOS ™ 5 功率 MOSFETN沟道增强模式逻辑电平符合 AEC Q101 要求MSL1 最高回流温度可达 260C 峰值工作温度为 175C100% Avalanche 测试自动光学…IAUC50N08S5N102
IAUC50N08S5N102 是一款 10.2mR 80V MOSFET晶体管,采用 5x6 mm SSO8 封装,使用英飞凌领先的 OptiMOS ™ 5 技术。除其他外,它还用于 DCDC 转换器和电机控制。产品详情:型号:IAUC50N08S5N102系列:OptiMOS™封装:PG-TDSON-8类型:功率MOSFET晶体管FET 类型:N 通道技…IAUC50N08S5L096
IAUC50N08S5L096(OptiMOS ™-5功率晶体管)80V、汽车功率MOSFET晶体管,PG-TDSON-8产品详情:型号:IAUC50N08S5L096封装:PG-TDSON-8类型:功率MOSFET晶体管概述:IAUC50N08S5L096 是一款 9.6mR 80V MOSFET,采用 5x6 mm SSO8 封装,使用英飞凌领先的 OptiMOS ™ 5 技术…IAUC100N08S5N043
IAUC100N08S5N043(Infineon)80V、OptiMOS ™-5 汽车 MOSFET晶体管,PG-TDSON-8IAUC100N08S5N043 规格参数:系列:OptiMOS™ 5FET 类型:N 通道技术:MOSFET(金属氧化物)漏源电压(Vdss):80 V25C 时电流 - 连续漏极 (Id):100A(Tc)驱动电压(最大 Rds On,最小 Rd…电话咨询:86-755-83294757
企业QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/ 2850151585
服务时间:9:00-18:00
联系邮箱:chen13410018555@163.com/sales@hkmjd.com
公司地址:广东省深圳市福田区振中路新亚洲国利大厦1239-1241室
CopyRight©2022 版权归明佳达电子公司所有 粤ICP备05062024号-12
官方二维码
友情链接: