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LTC4449IDCB是一款高频栅极驱动器，专为驱动一个同步 DC/DC 转换器中的两个 N 沟道 MOSFET 而设计。强大的轨至轨驱动能力降低了具高栅极电容 MOSFET 中的开关损耗。

LTC4449IDCB具有一个用于输入逻辑电路的单独电源，以与控制器 IC 的信号摆幅相匹配。如果输入信号未被驱动，则 LTC4449 将启动一种停机模式，该模式把两个外部 MOSFET 全部关断。输入逻辑信号在内部被电平移位至自举电源，此电源可以在高出地电位达 42V 的电压条件下运行。

LTC4449IDCB在驱动器和逻辑电源上均包含欠压闭锁电路，当出现欠压情况时，该电路将关断外部 MOSFET。LTC4449IDCB还内置了一种自适应贯通保护功能，用于防止因 MOSFET 交叉传导电流而引起功率损耗。

LTC4449IDCB采用 2mm x 3mm DFN 封装。

技术规格

驱动配置： 半桥  

通道类型： 同步  

驱动器数： 2  

栅极类型： MOSFET (N-Channel)  

电压 - 供电： 4V ~ 6.5V  

逻辑电压 - VIL，VIH： 3V，6.5V  

电流 - 峰值输出（灌入，拉出）： 3.2A，4.5A  

输入类型：非反相  

高压侧电压 - 最大值（自举）： 42 V  

上升/下降时间（典型值）： 8ns，7ns  

工作温度： -40°C ~ 125°C（TJ）  

安装类型： 表面贴装型 

应用

分布式电源架构

高密度电源模块

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