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S29GL01GS10FHI010是采用 65 纳米工艺技术制造的 MIRRORBIT™ Eclipse 闪存产品。该器件的快速页面访问时间快达 15 ns，相应的随机访问时间快达 90 ns。这些器件具有写入缓冲器，允许在一次操作中最多编程 256 个字/512 个字节，因此有效编程时间比标准编程算法更快。因此，这些器件非常适合当今需要更高密度、更高性能和更低功耗的嵌入式应用。

产品属性：S29GL01GS10FHI010

产品种类: NOR闪存

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: FBGA-64

系列: S29GL01G/512/256/128S

存储容量: 1 Gbit

电源电压-最小: 2.7 V

电源电压-最大: 3.6 V

有源读取电流（最大值）: 60 mA

接口类型: Parallel

组织: 64 M x 16

数据总线宽度: 16 bit

定时类型: Asynchronous

最小工作温度: - 40 C

最大工作温度: + 85 C

结构: MirrorBit Eclipse

存储类型: NOR

湿度敏感性: Yes

产品类型: NOR Flash

速度: 100 ns

标准: Common Flash Interface (CFI)

工厂包装数量: 360

子类别: Memory & Data Storage

商标名: MirrorBit

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  答：所有上架的在线商品均可在线即可下单，但也考虑到现货库存流动性比较大，目前还无法做到100%的精准。如有异常，您可以在线联系我公司并给出对应的 解决方案。

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