商品名称:MP34DT06JTR
数据手册:MP34DT06JTR.pdf
品牌:ST
年份:23+
封装:HCLGA -4LD
货期:全新原装
库存数量:1000 件
MP34DT06JTR是一款超紧凑、低功耗、全向的数字MEMS麦克风,内置电容式传感元件和IC接口。
能够检测声波的传感元件是使用专用于生产音频传感器的专用硅微机械加工工艺制造的。
IC接口是使用CMOS工艺制造的,该工艺允许设计能够以PDM格式从外部提供数字信号的专用电路。
MP34DT06JTR是一款低失真数字麦克风,信噪比为64 dB,灵敏度为-26 dBFS±1 dB。
MP34DT06JTR采用顶部端口、SMD兼容、EMI屏蔽封装,保证在-40°C至+85°C的扩展温度范围内运行。
特点
•单电源电压
•低功耗
•AOP=122.5 dBSPL
•64 dB信噪比
•全向灵敏度
•–26 dBFS±1 dB灵敏度
•PDM输出
•HCLGA包
–顶部端口设计
–符合SMD
–EMI屏蔽
–符合ECOPACK、RoHS和“绿色”标准
应用
•移动终端
•笔记本电脑和笔记本电脑
•便携式媒体播放器
•网络电话
•语音识别
•A/V电子学习设备
•游戏和虚拟现实输入设备
•数码相机和摄像机
•防盗系统
型号
品牌
封装
数量
描述
INFINEON
TLGA-5
1000
10 Hz ~ 10 kHz 数字,PDM 麦克风 MEMS(硅) 1.62 V ~ 3.6 V 全向 (-36dB ±1dB @ 94dB SPL) 焊盘
INFINEON
TLGA-5
1000
10 Hz ~ 10 kHz 数字,PDM 麦克风 MEMS(硅) 1.62 V ~ 3.6 V 全向 (-26dB ±1dB @ 94dB SPL) 焊盘
TDK
LGA-5
1000
10 Hz ~ 10 kHz 模拟 麦克风 MEMS(硅) 1.65 V ~ 3.63 V 全向 (-38dB ±1dB @ 94dB SPL) 焊盘
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这款 N 沟道功率 MOSFET 采用 STripFET F8 技术,具有增强型沟槽栅结构。STL165N10F8AG
这款 N 沟道功率 MOSFET 采用 STripFET™ F7 技术,具有增强型沟槽栅极结构,导通电阻极低,同时还能降低内部电容和栅极电荷,从而实现更快、更高效的开关。STL300N4LF8
这款 N 沟道功率 MOSFET 采用 STripFET F8 技术,具有增强型沟槽栅极结构。电话咨询:86-755-83294757
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