IMP23ABSUTR是一款紧凑型低功耗麦克风，内置电容式传感元件和集成电路接口。
传感元件能够检测声波，采用专门的硅微加工工艺制造音频传感器。
IMP23ABSUTR的声过载点为130 dBSPL，典型信噪比为64 dB。
IMP23ABSUTR的灵敏度为-38 dBV ±1 dB @ 94 dBSPL，1 kHz。
IMP23ABSUTR 采用符合回流焊接要求的封装，并保证在 -40 °C 至 +85 °C 的扩展温度范围内工作。
特点
• 单电源电压工作 1.52 V - 3.6 V
• 全向灵敏度
• 高信噪比
• 高声学过载点：130 dBSPL typ.
• 封装符合回流焊接要求
• 增强的射频抗扰度
• 超平频率响应
• 超声带宽（高达80 kHz）
• 低延迟
• 超低功耗：最大150 µA
• 符合ECOPACK、RoHS和 "绿色 "标准
应用范围
• 工业设备状态监测
• 泄漏检测
• 电弧
• 智能医疗仪器
• 可穿戴设备
• 听力设备
• 智能扬声器
• 有源降噪耳机
型号
品牌
封装
数量
描述
INFINEON
TLGA-5
1000
10 Hz ~ 10 kHz 数字，PDM 麦克风 MEMS（硅） 1.62 V ~ 3.6 V 全向 (-36dB ±1dB @ 94dB SPL) 焊盘
INFINEON
TLGA-5
1000
10 Hz ~ 10 kHz 数字，PDM 麦克风 MEMS（硅） 1.62 V ~ 3.6 V 全向 (-26dB ±1dB @ 94dB SPL) 焊盘
TDK
LGA-5
1000
10 Hz ~ 10 kHz 模拟 麦克风 MEMS（硅） 1.65 V ~ 3.63 V 全向 (-38dB ±1dB @ 94dB SPL) 焊盘
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意法半导体（ST）集团于1987年成立，是由意大利的SGS微电子公司和法国Thomson半导体公司合并而成。1998年5月，SGS-THOMSON Microelectronics将公司名称改为意法半导体有限公司。意法半导体是世界最大的半导体公司之一。公司2019年全年净营收95.6亿美元; 毛利率38.7%；营业…
STL175N4LF8AG
STL175N4LF8AG是一款 40 V N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 STripFET F8 技术设计，具有增强型沟槽栅极结构。
STL170N4LF8
STL170N4LF8是一款 40 V N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 STripFET F8 技术设计，具有增强型沟道栅极结构。
ST25R100-CMET
ST25R100-CMET多用途 NFC 收发器采用 4x4 mm 小型封装，具有高端性能，为各种终端应用带来了非接触式交互的便利和功能。它特别针对消费和工业领域的终端产品进行了优化。
STL305N4LF8AG
这款 N 沟道功率 MOSFET 采用 STripFET F8 技术，具有增强型沟槽栅结构。
STL165N10F8AG
这款 N 沟道功率 MOSFET 采用 STripFET™ F7 技术，具有增强型沟槽栅极结构，导通电阻极低，同时还能降低内部电容和栅极电荷，从而实现更快、更高效的开关。
STL300N4LF8
这款 N 沟道功率 MOSFET 采用 STripFET F8 技术，具有增强型沟槽栅极结构。电话咨询：86-755-83294757
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