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商品型号:TPD1E10B09QDPYRQ1

商品名称:TPD1E10B09QDPYRQ1

数据手册:TPD1E10B09QDPYRQ1.pdf

品牌:TI

年份:23+

封装:X1SON-2

货期:全新原装

库存数量:40000

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技术参数

制造商
TI
型号
TPD1E10B09QDPYRQ1
封装
X1SON-2
描述
采用 0402 封装的汽车类 10pF、±9V、±20kV ESD 保护二极管

产品描述

TPD1E10B09QDPYRQ1 器件是一款采用小型 0402 工业标准封装的双向静电放电 (ESD) 瞬态电压抑制 (TVS) 二极管。该 TVS 保护二极管便于将元件安装到空间受限的 应用中 ,并 具有 较低的 RDYN 和较高的 IEC 额定值。TPD1E10B09QDPYRQ1 的额定 ESD 冲击消散值高于 IEC 61000-4-2 4 级国际标准中规定的最高水平,可以提供 ±20kV 接触放电和 ±20kV IEC 气隙保护。ESD 电压可轻松达到 5kV,并且在极端条件下,这些电压能够显著升高,从而对许多集成电路造成损坏。例如,在湿度较低的环境下,电压可超过 20kV。


低动态电阻 (0.5Ω) 和低钳位电压(1A IPP 时为 13V)可确保提供系统级瞬变事件保护,从而为暴露于 ESD 事件下的设计提供强有力的保护。该器件还 具有 一个 10pF IO 电容,因此非常适用于音频线路、按钮、存储器接口或 GPIO。


特性

• 符合 AEC-Q101

• IEC 61000-4-2 4 级 ESD 保护

– ±20kV 接触放电

– ±20kV 气隙放电

• ISO 10605(330pF,330Ω)ESD 保护

– ±8kV 接触放电

– ±15kV 气隙放电

• IEC 61000-4-5 浪涌保护

– 4.5A (8/20µs)

• I/O 电容:10pF(典型值)

• RDYN:0.5Ω(典型值)

• 直流击穿电压:±9.5V(最小值)

• 超低泄漏电流:100nA(最大值)

• 钳位电压:13V(IPP = 1A 时的典型值)

• 工业温度范围:-40°C 至 +125°C

• 节省空间的 0402 封装


应用

• 终端设备:

– 音响主机

– 高级音频设备

– 外部放大器

– 车身控制模块

– 网关

– 车载信息服务系统

– 摄像机模块

• 接口:

– 音频线路

– 按钮

– 存储器接口

– 通用输入/输出 (GPIO)

相关联产品

型号

品牌

封装

数量

描述

ESD7382MUT5G

ON

X3DFN-2

1000

10V 夹子 3A Ipp TVS - 二极管 表面贴装型 2-X3DFN(0.6x0.3)(0201)

ESD224DQAR

TI

USON-10

6000

适用于 USB 和 HDMI 的四通道 0.5pF、±3.6V、±12kV ESD 保护二极管

ESD8011MUT5G

ON

X3DFN-2

3000

19V 夹子 3.6A(8/20µs) Ipp TVS - 二极管 表面贴装型 2-X3DFN(0.6x0.3)(0201)

ESD9N5B-2

WILLSEMI

DFN1006-2L

10000

1 线、双向、正常电容、瞬态电压抑制器

AZ5A25-01F.R7G

AMAZING

DFN0603

12000

用于静电放电/瞬态保护的瞬态电压抑制器件小包装

ESDR0502NMUTAG

ON

DFN

138189

超低电容 ESD 保护阵列,适用于高速数据线路

ESD7104MUTAG

ON

UDFN-10

36693

ESD7104 低电容ESD保护二极管 用于高速数据线

常见问题

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