商品名称:VND14NV04TR
数据手册:VND14NV04TR.pdf
品牌:ST
年份:23+
封装:TO-252
货期:全新原装
库存数量:12500 件
VND14NV04TR是采用意法半导体VIPower™ M0技术制造的单片器件,旨在替代直流至50KHz应用中的标准功率MOSFET。内置热关断、线性电流限制和过压钳制可在恶劣环境中保护芯片。
特性
线性电流限制
热关断
短路保护
集成钳制
从输入引脚获取的低电流
通过输入引脚的诊断反馈
ESD保护
直接进入功率MOS的栅极 直接进入功率MOSFET的栅极(模拟驱动)
与标准的功率MOSFET兼容
属性
系列: OMNIFET II™, VIPower™
开关类型: 通用
输出数: 1
比率 - 输入:输出: 1:1
输出配置: 低端
输出类型: N 通道
接口: 开/关
电压 - 负载: 36V(最大)
电压 - 供电 (Vcc/Vdd): 不需要
电流 - 输出(最大值): 12A
导通电阻(典型值): 35 毫欧(最大)
输入类型: 非反相
特性: -
故障保护: 限流(固定),超温,过压
工作温度: -40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: DPAK
封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
型号
品牌
封装
数量
描述
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概述:STM32H523VEI6微控制器采用Arm Cortex-M33内核,并搭载面向Armv8-M的TrustZone技术、DSP和浮点单元 (FPU),运行频率高达250 MHz。STM32H523VEI6具有512KB的Flash存储器、272 KB SRAM,采用100引脚的UFBGA封装。规格核心处理器:ARM Cortex-M33内核规格:32-位速度:…STM32H523RET6
概述:STM32H523RET6 微控制器采用Arm Cortex-M33内核,并搭载面向Armv8-M的TrustZone技术、DSP和浮点单元 (FPU),运行频率高达250 MHz。STM32H523RET6具有512KB的Flash存储器、272 KB SRAM,采用64引脚的LQFP封装。规格核心处理器:ARM Cortex-M33内核规格:32-位速度:…电话咨询:86-755-83294757
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