AR0830CSSC35SMD20-RC 属于 Hyperlux LP 产品系列,是一款 1/2.9 英寸背面照度(BSI)堆叠式 CMOS 数字图像传感器,具有 3840 x 2160 有源像素阵列。这款先进的传感器可在线性或增强动态范围(eDR)模式下捕捉图像,并采用卷帘快门读取方式。AR0830 的结构设计旨在以极低的功耗提供高质量的性能。它由 onsemi 提供的 1.4 m BSI 像素支持,在微光和近红外波长下性能卓越。AR0830 的特点是在边缘提供强大的数据捕获设备,可通过多个选项进行编程,以极低功耗提供最佳带宽。
AR0830CSSC35SMD20-RC 的特点
在业内同类产品中功耗最低
850nm 和 940nm 波长的增强型近红外响应
运动唤醒 (WOM)
多种子采样模式 - 分档、求和、跳转、窗口
多种功能模式 - 全局重置释放 (GRR)、Tigger、上下文切换
增强动态范围 (eDR) 和行交错 HDR (LI-HDR) 模式
AR0830CSSC35SMD20-RC 的应用
视频会议
智能接入
虚拟和增强现实
机器视觉
零售分析
型号
品牌
封装
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描述
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安森美半导体(ON Semiconductor,美国纳斯达克上市代号:ON)是应用于高能效电子产品的首要高性能硅方案供应商。公司的产品系列包括电源和信号管理、逻辑、分立及定制器件,帮助客户解决他们在汽车、通信、计算机、消费电子、工业、LED照明、医疗、军事/航空及电源应用的独…
NB6N11SMNG
NB6N11SMNG是差分 1:2 时钟或数据接收器,可接受 AnyLevelTM 输入信号: LVPECL、CML、LVCMOS、LVTTL 或 LVDS。AFGH4L25T120RWD
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AFGH4L25T120RW是一款单N沟道1200V 25A绝缘栅极双极晶体管 (IGBT),它采用坚固、高性价比的场终止型VII沟槽结构。AFGH4L25T120RW在要求苛刻的开关应用中提供出色的性能。低导通电压和最小开关损耗在汽车应用中提供最佳的硬开关和软开关拓扑性能。技术参数AFGH4L25T120RW的…FGAF40N60SMD
FGAF40N60SMD是一款600 V 绝缘栅双极晶体管(IGBT) ,主要应用于电力电子设备中。该IGBT具有以下主要规格:配置:Single集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V集电极—射极饱和电压:1.9 V栅极/发射极最大电压:- 20 V, 20 V在25 C的连续集电极电流:80 APd-功率耗散:115 W…FGY4L75T120SWD
FGY4L75T120SWD是一款采用新颖的场终止型第7代IGBT技术和采用TO-247 4−lead封装的第7代二极管。该IGBT具有最佳的性能,具有低开关和导通损耗,可在太阳能逆变器、UPS和ESS等各种应用中实现高效率运行。技术规格FGY4L75T120SWD的主要规格包括:配置:Single集电极—发射极…LB11600JV-TLM-E
LB11600JV-TLM-E 是安森美半导体(ON Semiconductor) 推出的一款三相无刷直流(BLDC)电机预驱动器,专为汽车电子、工业控制及消费类电机驱动应用设计。电话咨询:86-755-83294757
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