ST33K1M5A-DFN8 采用快速 Cortex®-M35P 处理器、加密加速器和改进的闪存操作,提供了高性能。Cortex®-M35P 内核的频率为 63 MHz,采用 Thumb®-2 指令集,性能卓越,代码密度极高。
ST33K1M5A-DFN8 的特性
通过 AEC-Q100 2 级认证
频率为 63 MHz 的 Arm® Cortex®-M35P 32 位 RISC 内核
工作温度范围:-40 °C 至 105 °C
2 Kbytes 高速缓冲存储器
高达 1.5 Mbytes 的用户闪存
64 Kbytes 用户 RAM
两个 ISO/IEC 7816-3 接口,支持 T=0 和 T=1 协议(从属模式)
单线协议 (SWP) 从接口(符合 ETSI 102613 标准)
串行外设接口 (SPI) - 主接口(最高 15 MHz)和从接口(最高 48 MHz)
主/从 I²C 接口,速度高达 1 Mb/s
三个带中断功能的 16 位定时器
低功耗待机模式下的永久定时器
十个多路复用通用 I/O
C 类(1.8 V)、B 类(3 V)和 3.3 V 电源电压范围
电流消耗与 GSM 和 ETSI TS 102 221 第 12 版及以后版本兼容
触点分配符合 ISO/IEC 7816-2 标准
静电放电保护大于 4 kV(HBM)
型号
品牌
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描述
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意法半导体(ST)集团于1987年成立,是由意大利的SGS微电子公司和法国Thomson半导体公司合并而成。1998年5月,SGS-THOMSON Microelectronics将公司名称改为意法半导体有限公司。意法半导体是世界最大的半导体公司之一。公司2019年全年净营收95.6亿美元; 毛利率38.7%;营业…
STM32H523ZET6
概述:STM32H523ZET6微控制器采用Arm Cortex-M33内核,并搭载面向Armv8-M的TrustZone技术、DSP和浮点单元 (FPU),运行频率高达250 MHz。STM32H523ZET6具有512KB的Flash存储器、272 KB SRAM,采用144引脚的LQFP封装。规格核心处理器:ARM Cortex-M33内核规格:32-位速度:…STM32H523ZEJ6
概述:STM32H523ZEJ6微控制器采用Arm Cortex-M33内核,并搭载面向Armv8-M的TrustZone技术、DSP和浮点单元 (FPU),运行频率高达250 MHz。STM32H523ZEJ6具有512KB的Flash存储器、272 KB SRAM,采用144引脚的UFBGA封装。规格核心处理器:ARM Cortex-M33内核规格:32-位速度:…STM32H523VET6
概述:STM32H523VET6微控制器采用Arm Cortex-M33内核,并搭载面向Armv8-M的TrustZone技术、DSP和浮点单元 (FPU),运行频率高达250 MHz。STM32H523VET6具有512KB的Flash存储器、272 KB SRAM,采用100引脚的LQFP封装。规格核心处理器:ARM Cortex-M33内核规格:32-位速度:…STM32H523VEI6
概述:STM32H523VEI6微控制器采用Arm Cortex-M33内核,并搭载面向Armv8-M的TrustZone技术、DSP和浮点单元 (FPU),运行频率高达250 MHz。STM32H523VEI6具有512KB的Flash存储器、272 KB SRAM,采用100引脚的UFBGA封装。规格核心处理器:ARM Cortex-M33内核规格:32-位速度:…STM32H523RET6
概述:STM32H523RET6 微控制器采用Arm Cortex-M33内核,并搭载面向Armv8-M的TrustZone技术、DSP和浮点单元 (FPU),运行频率高达250 MHz。STM32H523RET6具有512KB的Flash存储器、272 KB SRAM,采用64引脚的LQFP封装。规格核心处理器:ARM Cortex-M33内核规格:32-位速度:…STM32H523CET6
概述:STM32H523CET6 微控制器采用Arm Cortex-M33内核,并搭载面向Armv8-M的TrustZone技术、DSP和浮点单元 (FPU),运行频率高达250 MHz。STM32H523CET6具有512KB的Flash存储器、272 KB SRAM,采用48引脚的LQFP封装。规格核心处理器:ARM Cortex-M33内核规格:32-位速度:…电话咨询:86-755-83294757
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