CY15B102N-ZS60XM是 128K × 16 非易失性存储器，其读写与标准 SRAM 相似。铁电随机存取存储器（F-RAM）是一种非易失性存储器，这意味着数据在断电后仍能保留。它的数据保留时间超过 121 年，同时消除了电池支持 SRAM（BBSRAM）的可靠性问题、功能缺点和系统设计复杂性。快速写入计时和高写入耐久性使 F-RAM 优于其他类型的存储器。
CY15B102N 的操作与其他 RAM 器件类似，因此可在系统中直接替代标准 SRAM。读取周期可由 CE 触发或通过改变地址触发，写入周期可由 CE 或 WE 触发。由于采用了独特的铁电存储器工艺，F-RAM 存储器具有非易失性。这些特性使 CY15B102N 成为需要频繁或快速写入的非易失性存储器应用的理想之选。
该器件采用 400 密耳、44 引脚 TSOP-II 表面贴装封装。器件规格在 -55 °C 至 +125 °C 的军用温度范围内得到保证。
功能
2-Mbit 铁电随机存取存储器 (F-RAM™) 逻辑结构为 128K × 16
使用 UB 和 LB 可配置为 256K × 8
高耐久性 10 万亿 (1013) 次读写
121 年数据保留期
NoDelay™ 写入
30 ns 周期时间的页面模式操作
先进的高可靠性铁电工艺
兼容 SRAM
符合行业标准的 128K × 16 SRAM 引脚布局
60 ns 访问时间，90 ns 周期时间
高级特性
软件可编程块写保护
优于电池支持的 SRAM 模块
无电池问题
单片可靠性
真正的表面贴装解决方案，无返工步骤
防潮、抗冲击和抗振动性能优越
低功耗
有效电流 7 mA（典型值）
待机电流 120 A （典型值）
低电压运行： VDD = 2.0 V 至 3.6 V
型号
品牌
封装
数量
描述
Cypress
FBGA-24
5000
FRAM（铁电体 RAM） 存储器 IC 16Mb SPI - 四 I/O，QPI 108 MHz 6.7 ns 24-FBGA（6x8）
Cypress
FBGA-24
5000
FRAM（铁电体 RAM） 存储器 IC 16Mb SPI - 四 I/O，QPI 108 MHz 6.7 ns 24-FBGA（6x8）
Cypress
FBGA-24
5000
FRAM（铁电体 RAM） 存储器 IC 8Mb SPI - 四 I/O，QPI 108 MHz 6.7 ns 24-FBGA（6x8）
Cypress
FBGA-24
5000
FRAM（铁电体 RAM） 存储器 IC 8Mb SPI - 四 I/O，QPI 108 MHz 6.7 ns 24-FBGA（6x8）
Cypress
8-UFLGA
5000
FRAM（铁电体 RAM） 存储器 IC 4Mb SPI - 四 I/O 108 MHz 6.7 ns 8-UFLGA（3.28x3.23）
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Cypress公司是一家知名的电子芯片制造商，其中文名称为——赛普拉斯。 赛普拉斯在纽约股票交易所上市，在数据通信、消费类电子等广泛领域均提供芯片解决方案。公司生产高性能IC产品，用于数据传输、远程通讯、PC和军用系统。公司1982年成立，是一家国际化大公司。目前约有…
CY15V116QSN-108BKXQ
CY15V116QSN-108BKXQ是一款采用先进铁电工艺的高性能 16-Mb 非易失性存储器。铁电随机存取存储器或 F-RAM 是非易失性存储器，其读写功能与 RAM 相似。它能提供 151 年的可靠数据保留，同时消除了串行闪存和其他非易失性存储器带来的复杂性、开销和系统级可靠性问题。CY15…
CY15B116QSN-108BKXQ
CY15B116QSN-108BKXQ是一款采用先进铁电工艺的高性能 16-Mb 非易失性存储器。
CY15V108QSN-108BKXQ
CY15V108QSN-108BKXQ是一款采用先进铁电工艺的高性能 8-Mb 非易失性存储器。
CY15B116QI-20BKXC
CY15B116QI-20BKXC是一款低功耗、16 Mbit 非易失性存储器，采用了先进的铁电工艺。铁电随机存取存储器或 F-RAM 是一种非易失性存储器，其读写功能与 RAM 相似。它能提供 151 年的可靠数据保留，同时消除了串行闪存、EEPROM 和其他非易失性存储器带来的复杂性、开销和系统…
CY15B108QSN-108BKXQ
CY15B108QSN-108BKXQ是一款采用先进铁电工艺的高性能 8-Mb 非易失性存储器。与串行闪存不同，CY15x108QSN 以总线速度执行写入操作。不会产生写入延迟。每个字节成功传输到器件后，数据立即写入存储器阵列。无需进行数据轮询，即可开始下一个总线周期。此外，与其他非易失…
CY15B102QM-50SWXI
CY15B102QM-50SWXI是一款采用先进铁电工艺的低功耗 2-Mbit 非易失性存储器。铁电随机存取存储器或 F-RAM 是非易失性存储器，其读写功能与 RAM 相似。它能提供 151 年的可靠数据保留，同时消除了串行闪存、EEPROM 和其他非易失性存储器带来的复杂性、开销和系统级可靠性问…电话咨询：86-755-83294757
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