4DIR1420HXUMA1- 高达 40Mbps 数据速率的四通道数字隔离器,具有精确定时和低功耗特性
产品概述
4DIR1420HXUMA1 四通道数字隔离器支持高达 40 Mbps 的数据传输速率,可确保在较宽的环境工作温度范围(-40°C 至 +125°C)内和跨生产范围进行稳健的数据通信。英飞凌强大的无芯变压器(CT)技术具有很高的系统抗噪能力(CMTI 最小为 100 kV/µs),可承受高达 5700 Vrms 的隔离电压(VISO)。
主要特点
- 数据传输率高达 40 Mbps
- 宽工作电源电压 2.7 V - 6.5 V
- 低电流消耗(1 Mbps 时最大 1.6 mA/ch,3.3 V,15 pF)
- 最小 100 kV/µs 的高 CMTI
- 传播延迟典型值 26 ns,通道间失配 3 ns
- 3.3 V 时最大 3 ns 脉宽失真
- 可变 CMOS 输入阈值,带默认输出高或低选项
- 符合 RoHS 规范的 PG-DSO-16 宽体 300 密耳封装
功能框图: 3+1 EN1 负极 数字隔离器 (4DIR1420H)
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描述
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SAK-TC1791F-512F240EP AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一个高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和数据存储器、总线、总线仲裁、中断控制器、外围控制处理器和DMA控制器以及若干片上外设。TC1791旨在满足最苛刻的嵌入式控制系统应用的需要,在这些应用中,价格/性能、实时响应性、计算能…CY62157G18-55BVXA
CY62157G18-55BVXA 是一款高性能CMOS低功耗(MoBL ) SRAM器件,内置ECC,采用48-ball VFBGA封装。Infineon MOBL™超可靠异步SRAM的性能可满足各种高可靠性工业、通信、数据处理、医疗、消费和军事应用的需求。规格存储器类型:易失存储器格式:SRAM技术:SRAM - 异步存储容…CY62157G18-55BVXI
CY62157G18-55BVXI是一款高性能CMOS低功耗(MoBL ) SRAM器件,内置ECC,采用48-ball VFBGA封装。Infineon MOBL™超可靠异步SRAM的性能可满足各种高可靠性工业、通信、数据处理、医疗、消费和军事应用的需求。规格存储器类型:易失存储器格式:SRAM技术:SRAM - 异步存储容…CY62157G30-45BVXI
CY62157G30-45BVXI 是一款高性能CMOS低功耗(MoBL ) SRAM器件,内置ECC,采用48-ball VFBGA封装。Infineon MOBL™超可靠异步SRAM的性能可满足各种高可靠性工业、通信、数据处理、医疗、消费和军事应用的需求。规格存储器类型:易失存储器格式:SRAM技术:SRAM - 异步存储容…CY62157G30-45ZSX
CY62157G30-45ZSX 是一款8Mb、高性能CMOS低功耗(MoBL ) SRAM器件,内置ECC,采用44-TSOP封装。Infineon MOBL™超可靠异步SRAM的性能可满足各种高可靠性工业、通信、数据处理、医疗、消费和军事应用的需求。规格存储器类型:易失存储器格式:SRAM技术:SRAM - 异步存储容量…CY62157G30-45ZXA
CY62157G30-45ZXA 是一款高性能CMOS低功耗(MoBL ) SRAM器件,内置ECC。Infineon MOBL™超可靠异步SRAM的性能可满足各种高可靠性工业、通信、数据处理、医疗、消费和军事应用的需求。规格存储器类型:易失存储器格式:SRAM技术:SRAM - 异步存储容量:8Mb存储器组织:512K…电话咨询:86-755-83294757
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