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NCD57090EDWR2G IGBT/MOSFET栅极驱动器是大电流、单通道栅极驱动器，用于IGBT和MOSFET，具有5kVrms内部电流隔离。NCD57090EDWR2G 在大功率应用中提供高系统效率和可靠性。这些器件接受互补输入，并根据引脚配置，提供有源米勒钳位、负电源以及独立的高侧和低侧（OUTH和OUTL）驱动器输出等选项，以便于系统设计。具有宽输入偏置电压范围和3.3V至20.0V信号电平。

规范

技术： 容性耦合  

通道数： 1  

电压 - 隔离： 5000Vrms  

共模瞬变抗扰度（最小值）： 100kV/µs（最大）  

传播延迟 tpLH / tpHL（最大值）： 90ns，90ns  

脉宽失真（最大）： 25ns  

上升/下降时间（典型值）： 13ns，13ns  

电流 - 输出高、低： 6.5A，6.5A  

电流 - 峰值输出： 6.5A  

电压 - 输出供电： 0V ~ 32V  

工作温度： -40°C ~ 125°C 

安森美NCD57090EDWR2G IGBT/MOSFET栅极驱动器采用紧凑型SOIC-8封装。

典型应用

电机控制

不间断电源 (UPS)

汽车应用

工业电源

太阳能逆变器

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  答：所有上架的在线商品均可在线即可下单，但也考虑到现货库存流动性比较大，目前还无法做到100%的精准。如有异常，您可以在线联系我公司并给出对应的 解决方案。

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  答：可以通过网站上询价，也可以通过电话以及邮箱咨询。

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  答：可以为个人用户开具普通发票，也可以为企业用户开具增值税专用发票。