STG5592QTR是采用硅栅 CMOS 技术开发的高速 CMOS 低压四路模拟 SPDT（单刀双掷）开关或 2:1 多路复用器/解复用器开关。它的工作电压为 1.65 V 至 5.5 V，因此非常适合便携式应用。
所有功能
宽工作电压范围：
单电源VCC(opr) = 1.65 V 至 5.5 V
导通电阻低：
在VCC= 5 V 时，Ron（峰值）= 2.75 Ω（TA= 25 °C）
兼容 1.8 V 逻辑
故障安全逻辑
功耗低：
TA= 25 °C 时，ICC= 0.1 µA
TA= 125 °C 时，ICC= 25 µA
所有通道 500 MHz 时的典型带宽（-3 dB）
-40 °C 至 +125 °C 工作温度
符合 USB (2.0) 高速（480 Mbps）信号切换标准
型号
品牌
封装
数量
描述
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意法半导体（ST）集团于1987年成立，是由意大利的SGS微电子公司和法国Thomson半导体公司合并而成。1998年5月，SGS-THOMSON Microelectronics将公司名称改为意法半导体有限公司。意法半导体是世界最大的半导体公司之一。公司2019年全年净营收95.6亿美元; 毛利率38.7%；营业…
STL175N4LF8AG
STL175N4LF8AG是一款 40 V N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 STripFET F8 技术设计，具有增强型沟槽栅极结构。
STL170N4LF8
STL170N4LF8是一款 40 V N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 STripFET F8 技术设计，具有增强型沟道栅极结构。
ST25R100-CMET
ST25R100-CMET多用途 NFC 收发器采用 4x4 mm 小型封装，具有高端性能，为各种终端应用带来了非接触式交互的便利和功能。它特别针对消费和工业领域的终端产品进行了优化。
STL305N4LF8AG
这款 N 沟道功率 MOSFET 采用 STripFET F8 技术，具有增强型沟槽栅结构。
STL165N10F8AG
这款 N 沟道功率 MOSFET 采用 STripFET™ F7 技术，具有增强型沟槽栅极结构，导通电阻极低，同时还能降低内部电容和栅极电荷，从而实现更快、更高效的开关。
STL300N4LF8
这款 N 沟道功率 MOSFET 采用 STripFET F8 技术，具有增强型沟槽栅极结构。电话咨询：86-755-83294757
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