VNH9013YTR 是一款汽车集成H桥,适用于驱动DC汽车的各种汽车应用。该器件集成了一个双通道和两个单通道MOSFETs。该器件采用意法半导体著名且经过验证的专有VIPower M0-S9技术设计,可在一个封装中集成H桥拓扑结构中的四个不同通道。
产品属性
输出配置:半桥(2)
应用:DC 电机,通用
接口:-
负载类型:感性,阻性
技术:MOSFET(金属氧化物)
导通电阻(典型值):7.8 毫欧 LS,6 毫欧 HS
电流 - 输出/通道:40A
电流 - 峰值输出:-
电压 - 供电:80V
电压 - 负载:80V
工作温度:175°C(TJ)
等级:汽车级
资质:AEC-Q100
特性:-
故障保护:-
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:36-PowerBFSOP(0.295",7.50mm 宽)
供应商器件封装:PowerSSO-36 TP
基本产品编号:VNH9013
型号
品牌
封装
数量
描述
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意法半导体(ST)集团于1987年成立,是由意大利的SGS微电子公司和法国Thomson半导体公司合并而成。1998年5月,SGS-THOMSON Microelectronics将公司名称改为意法半导体有限公司。意法半导体是世界最大的半导体公司之一。公司2019年全年净营收95.6亿美元; 毛利率38.7%;营业…
STL175N4LF8AG
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这款 N 沟道功率 MOSFET 采用 STripFET™ F7 技术,具有增强型沟槽栅极结构,导通电阻极低,同时还能降低内部电容和栅极电荷,从而实现更快、更高效的开关。STL300N4LF8
这款 N 沟道功率 MOSFET 采用 STripFET F8 技术,具有增强型沟槽栅极结构。电话咨询:86-755-83294757
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