CY8C4248LQI-BL543 是一种可扩展和可重新配置的平台架构,适用于采用 Arm® Cortex®-M0 CPU 的可编程嵌入式系统控制器系列。它将可编程和可重新配置的模拟和数字块与灵活的自动路由相结合。
功能特点
48-MHz Arm® Cortex®-M0 CPU,具有单周期乘法和 DMA 功能
高达 256 KB 的闪存,带读取加速器
高达 32 KB 的 SRAM
2.4GHz 射频收发器,带 50Ω 天线驱动器
数字物理层--链路层引擎,支持主模式和从模式
射频输出功率:-18 dBm 至 +3 dBm
RX 灵敏度:-89 dBm- RX 电流:18.7 mA
发送电流:0 dBm 时 15.6 mA
接收信号强度指示 (RSSI):1 分贝分辨率
激活模式: 执行 3 MHz 闪存程序时为 1.7 mA
深度睡眠模式: 手表晶体振荡器 (WCO) 开启时:1.5 µA
休眠模式: 保留 RAM 时 150 nA
停止模式: 60 nA
所有引脚(共用或分段)均支持 LCD 驱动
在深度休眠模式下运行,每个引脚有 4 位内存
四个 16 位定时器/计数器脉宽调制器 (TCPWM) 块
中心对齐、边缘和伪随机模式
应用
家用电器
信息和通信技术
型号
品牌
封装
数量
描述
Renesas
145-TFLGA
2000
ARM® Cortex®-M4 Renesas Synergy™ S3 微控制器 IC 32 位单核 48MHz 512KB(512K x 8) 闪存 145-TFLGA(7x7)
Renesas
100-TFLGA
2000
ARM® Cortex®-M4 Renesas Synergy™ S3 微控制器 IC 32 位单核 48MHz 512KB(512K x 8) 闪存 100-TFLGA(7x7)
Renesas
64-WFQFN
2000
ARM® Cortex®-M4 Renesas Synergy™ S3 微控制器 IC 32 位单核 48MHz 512KB(512K x 8) 闪存 64-HWQFN(8x8)
Microchip
VQFN-20
4900
PIC PIC® 16F 微控制器 IC 8 位 32MHz 14KB(8K x 14) 闪存 20-VQFN(3x3)
Microchip
VQFN-20
4900
PIC PIC® 16F, Functional Safety (FuSa) 微控制器 IC 8 位 32MHz 7KB(4K x 14) 闪存 20-VQFN(3x3)
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英飞凌科技公司于1999年4月1日在德国慕尼黑正式成立,是全球领先的半导体公司之一。其前身是西门子集团的半导体部门,于1999年独立,2000年上市。其中文名称为亿恒科技,2002年后更名为英飞凌科技。 总部位于德国Neubiberg的英飞凌科技股份公司,为现代社会的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP AB
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BTS3035EJ是一款 35mΩ 智能单通道低边电源开关,采用 PG-TDSO8-31 封装,提供嵌入式保护功能。IQE057N10NM6CG
IQE057N10NM6CG是OptiMOSTM6 功率晶体管,电压100V。DF900R12IP4DPB60
DF900R12IP4DPB60 PrimePACK™2 1200 V、900 A 斩波器 IGBT 模块,带沟槽/场截止 IGBT4、增加的发射极受控 4 二极管和 NTC。IDWD120E120D7
IDWD120E120D7是一款软开关1200 V、发射极控制7硅二极管,采用TO-247-2引脚封装。产品属性产品种类:二极管 - 通用,功率,开关产品:开关二极管安装风格:通孔封装 / 箱体:TO-247-2峰值反向电压:1.2 kV最大浪涌电流:420 AIf - 正向电流:177 A配置:单通道恢复时间:…FP50R12N2T7B76
FP50R12N2T7 1200 V、50 A三相PIM IGBT模块,采用TRENCHSTOP™ IGBT7、发射极控制7二极管和NTC。集成整流器和制动斩波器的PIM(功率集成模块)可节省系统成本。也可采用压接工艺。器件:FP50R12N2T7B76系列:EconoPIM™ 2产品种类:IGBT 模块IGBT 类型:沟槽型场截止配置…电话咨询:86-755-83294757
企业QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/ 2850151585
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