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CY7C1312KV18-300BZXC QDR-II DDR-II 同步 SRAM 的最高速度为 333MHz，密度高达 144Mb，读取延迟为 1.5 或 2.5 个周期，突发长度为 2 或 4，采用行业标准的 165 球 FBGA 封装. QDR-II 系列还包括双倍数据速率 (DDR-II) 器件。 DDR-II 器件与 QDR-II 器件类似，不同之处在于所有 DDR 器件的突发长度为 2 和单一数据速率地址总线。 此外，DDR-II 可用于 SIO（独立 I/O）或 CIO（通用 I/O）选项。 SIO 设备提供独立的读写端口，消除了 CIO 设备中的数据总线“周转”时间。 CIO 设备为读取和写入提供单个端口，从而减少了所需的数据引脚连接数。

规格参数

存储器类型 易失  

存储器格式 SRAM  

技术 SRAM - 同步，QDR II  

存储容量 18Mb（1M x 18）  

存储器接口 并联  

时钟频率 300 MHz  

写周期时间 - 字，页 -  

电压 - 供电 1.7V ~ 1.9V  

工作温度 0°C ~ 70°C（TA）  

安装类型 表面贴装型  

封装/外壳 165-LBGA  

供应商器件封装 165-FBGA（13x15）  

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