THGAMVT0T43BAIR广泛的高性能 e-MMC 产品将闪存和 e-MMC控制器集成在一个 BGA 封装中,可执行纠错、损耗均衡、逻辑到物理地址转换和坏块管理等功能。这些解决方案支持符合 JEDEC 5.0/5.1 版标准的高速存储器接口,无需主机直接控制闪存。
产品属性
存储器类型:非易失
存储器格式:闪存
技术:闪存 - NAND
存储容量:1Tb
存储器组织:128G x 8
存储器接口:eMMC_5.1
时钟频率:200 MHz
电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
工作温度:-20°C ~ 85°C(TC)
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:153-VFBGA
供应商器件封装:153-BGA(11.5x13)
应用
● 物联网设备
● 智能手机
● 智能电视
● 平板电脑/二合一
● 汽车
● 流媒体
● 智能扬声器
型号
品牌
封装
数量
描述
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TH58NVG2S3HTAI0
Kioxia SLC NAND 和 BENAND™ 闪存可为敏感或频繁使用的系统数据提供同类最佳的耐用性和数据保留能力。这些器件采用领先的 24 纳米生产技术,同时支持更小的电路板尺寸(移动设备等)。TH58NVG2S3HTAI0—FLASH - NAND(SLC) 存储器 IC 4Gb 并联 25 ns 48-TSOP I类别: 存…TH58NVG2S3HAI0
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TH58NYG2S3HBAI4 SLC NAND 高级闪存为敏感或频繁使用的系统数据提供了最先进的耐用性和数据保留能力。特点SLC NAND 24nm1Gb - 128Gb扩展温度范围TSOP 和 BGA 封装BENAND 24 纳米内置 ECC SLC NAND1Gb - 8Gb片上 H/W ECC与原始 SLC 相同的可靠性和性能与原始 SLC 相同的硬…THGAMVG9T23BAIL
THGAMVG9T23BAIL NAND 闪存采用了比特列堆叠 (BiCS) FLASH™ 3D 技术。这些闪存为需要以经济高效的方式存储大量数据的应用提供了最佳解决方案。功能特点16GB 至 128GB 内存BiCS 3D NAND 技术多层单元 (MLC) 技术符合最新的 JEDEC 5.1 版标准集成内存管理:纠错码坏块管理…THGBMNG5D1LBAIT
4Gbit THGBMNG5D1LBAIT是一款先进、高效的e-MMC™托管型NAND闪存器件。具有集成控制器和增强型存储管理。集成的存储管理功能包括纠错、损耗均衡和坏块管理。该闪存非常适合用于工业、消费类电子产品、多媒体、智能计量和智能照明应用。产品规格:产品种类:eMMC封装/箱体…THGBMJG6C1LBAU7
THGBMJG6C1LBAU7 8Gbit THGBM e-MMC™托管型NAND闪存是先进、高效的器件,具有集成控制器、增强型存储管理。集成的存储管理功能包括纠错、损耗均衡和坏块管理。该THGBM e-MMC闪存器件符合JEDEC 5.0 (4GB) 和5.1版标准,为具有更高数据速度和容量要求的应用提供了理想的解…电话咨询:86-755-83294757
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