TSB182IYDT 是一款超高精度、零漂移、双通道运算放大器。TSB182可最大限度地保证20µV输入失调电压。该器件在扩展电源电压范围内工作,具有轨到轨输出。TSB182具有出色的速度/功耗比,增益带宽积为3MHz,在宽电源电压范围内每个运算放大器的典型功耗为650μA。
产品属性
放大器类型:断路器(零漂移)
电路数:2
输出类型:单端,轨至轨
压摆率:1.7V/µs
增益带宽积:3 MHz
电流 - 输入偏置:500 pA
电压 - 输入补偿:20 µV
电流 - 供电:670µA(x2 通道)
电流 - 输出/通道:27 mA
电压 - 跨度(最小值):4 V
电压 - 跨度(最大值):36 V
工作温度:-40°C ~ 125°C
等级:汽车级
资质:AEC-Q100
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装:8-SO
型号
品牌
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描述
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概述:STM32H523VET6微控制器采用Arm Cortex-M33内核,并搭载面向Armv8-M的TrustZone技术、DSP和浮点单元 (FPU),运行频率高达250 MHz。STM32H523VET6具有512KB的Flash存储器、272 KB SRAM,采用100引脚的LQFP封装。规格核心处理器:ARM Cortex-M33内核规格:32-位速度:…STM32H523VEI6
概述:STM32H523VEI6微控制器采用Arm Cortex-M33内核,并搭载面向Armv8-M的TrustZone技术、DSP和浮点单元 (FPU),运行频率高达250 MHz。STM32H523VEI6具有512KB的Flash存储器、272 KB SRAM,采用100引脚的UFBGA封装。规格核心处理器:ARM Cortex-M33内核规格:32-位速度:…STM32H523RET6
概述:STM32H523RET6 微控制器采用Arm Cortex-M33内核,并搭载面向Armv8-M的TrustZone技术、DSP和浮点单元 (FPU),运行频率高达250 MHz。STM32H523RET6具有512KB的Flash存储器、272 KB SRAM,采用64引脚的LQFP封装。规格核心处理器:ARM Cortex-M33内核规格:32-位速度:…电话咨询:86-755-83294757
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