TSB512IDT 6MHz运算放大器 (Op-Amp) 具有轨到轨输入和输出，保证能在2.7V至36V单电源下工作。它还采用±1.35V至±18V双电源供电。该放大器具有宽电源电压范围和宽带宽的优势。典型应用包括滤波器、电源/电机控制、执行器驱动、霍尔效应传感器、应变计和电阻传感器。
产品属性
放大器类型：通用
电路数：2
输出类型：满摆幅
压摆率：3V/µs
增益带宽积：6 MHz
电压 - 输入补偿：1.5 mV
电流 - 供电：1.8mA（x2 通道）
电流 - 输出/通道：50 mA
电压 - 跨度（最小值）：2.7 V
电压 - 跨度（最大值）：36 V
工作温度：-40°C ~ 125°C
安装类型：表面贴装型
封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：8-SO
型号
品牌
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描述
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意法半导体（ST）集团于1987年成立，是由意大利的SGS微电子公司和法国Thomson半导体公司合并而成。1998年5月，SGS-THOMSON Microelectronics将公司名称改为意法半导体有限公司。意法半导体是世界最大的半导体公司之一。公司2019年全年净营收95.6亿美元; 毛利率38.7%；营业…
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ST25R100-CMET
ST25R100-CMET多用途 NFC 收发器采用 4x4 mm 小型封装，具有高端性能，为各种终端应用带来了非接触式交互的便利和功能。它特别针对消费和工业领域的终端产品进行了优化。
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这款 N 沟道功率 MOSFET 采用 STripFET™ F7 技术，具有增强型沟槽栅极结构，导通电阻极低，同时还能降低内部电容和栅极电荷，从而实现更快、更高效的开关。
STL300N4LF8
这款 N 沟道功率 MOSFET 采用 STripFET F8 技术，具有增强型沟槽栅极结构。电话咨询：86-755-83294757
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