MASTERGAN5TR GaN半桥高压驱动器采用高功率密度电源,在半桥配置中集成栅极驱动器和两个增强模式GaN晶体管。集成式功率分流器具有150mΩ RDS(ON)和650V漏源击穿电压。集成式自举二极管可以快速为嵌入式栅极驱动器的高侧供电。
产品属性
输出配置:半桥
应用:DC-DC 转换器
接口:逻辑
负载类型:电感,电容性
技术:DMOS
导通电阻(典型值):77 欧姆 LS + HS
电流 - 输出/通道:4A
电流 - 峰值输出:7A
电压 - 供电:3.3V ~ 15V
电压 - 负载:600V(最大)
工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ)
故障保护:超温,UVLO
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:31-VQFN 裸露焊盘
供应商器件封装:31-QFN(9x9)
应用
● 开关模式电源
● 高压PFC、直流-直流和直流-交流转换器
● 充电器和适配器
● 不间断电源 (UPS) 系统
● 太阳能发电
型号
品牌
封装
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描述
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