L99H92Q5 可驱动 4 个外部 N 沟道 MOSFET 晶体管,采用单 H 桥或双独立半桥配置,用于汽车应用中的直流电机控制。集成了两个可自由配置的电流检测放大器。该器件具有低功耗模式(待机模式),电流消耗小于 5 µA。可编程栅极驱动电流使 EMI 最小化。每个栅极驱动器可独立监控其外部MOSFET 漏极-源极电压。可编程的交叉电流保护时间可避免每个半桥的高压侧和低压侧同时启动。
产品属性
驱动配置:半桥
通道类型:同步
驱动器数:4
栅极类型:N 沟道 MOSFET
电压 - 供电:4.51V ~ 28V
输入类型:非反相
等级:汽车级
资质:AEC-Q100
安装类型:表面贴装,可润湿侧翼
封装/外壳:32-QFN 裸露焊盘
供应商器件封装:32-QFN-EP(5x5)
应用
● 天窗
● 电动后备箱提升门
● 滑动门
● 车窗升降器、安全带预紧器等
型号
品牌
封装
数量
描述
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