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深圳市明佳达电子有限公司
型号

MPQ5031GRE MPQ4272GVE 88Q2112

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产品分类

集成电路（IC）

以太网 电力线收发器 锁相环 - PLL 射频采样收发器 逻辑 - 电平转换器 接口IC - 多速率重定时器 SAS 扩展器 功率放大器模块 时钟/计时，振荡器 时钟/定时 - 纳米定时器 数字交叉点开关 超声波收发器 时钟/定时 - 延迟线 读卡器控制器 逻辑 - 门和反相器 发射器 隔离式比较器 高速比较器 接口 - 多速率定时器 USB 控制器 CCD 信号处理器 光度测量前端 隔离放大器 数字显示控制器

物联网/IGBT模组

2G模组 4G模组 5G模组 物联网模组 新能源模组 车规级模组 智能模组 AR/VR 蜂窝物联网模块 卫星通信模块 GNSS 模组 LPWA 模组 物联网芯片 无线通信模块

滤波器

2.4GHz Wi-Fi 带通滤波器 有源滤波器​ RF 滤波器 高通滤波器 5GHz Wi-Fi 带通滤波器 6GHz Wi-Fi 带通滤波器

无线连接

Wi-Fi 6 蓝牙IC 蓝牙5.1 蓝牙5.0 蓝牙5.2 超宽带 UWB IC GNSS 接收器 Wi-Fi 4 WiFi 模块 蓝牙低功耗 Wi-Fi 5 Wi-Fi 7 无线网卡芯片 蓝牙模块 WiFi 无线模块 蓝牙音频Soc

电路保护

浪涌抑制 IC ESD 抑制器/TVS 二极管 气体放电管 - GDT /气体等离子体避雷器 TVS - 混合技术

分立半导体

晶体管 - FET，MOSFET - 单个 射频晶体管 功率 MOSFET 模块 碳化硅（SIC）FET 模块 碳化硅（SIC）FET P 沟道 MOSFET 晶体管 - 射频 FET，MOSFET MOSFET 模块 晶闸管 二极管阵列模块 MOSFET 晶体管 N 沟道 MOSFET IGBT 晶体管 二极管与整流器 肖特基二极管与整流器 单齐纳二极管 双极晶体管阵列 功率驱动器模块 二极管 - 整流器 - 单 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 晶体管 - IGBT - 模块 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

电源管理

氮化镓 (GaN) IC 线性稳压器LDO AC-DC控制器和稳压器 DC-DC电源产品 电压基准 电池管理 以太网供电（PoE）控制器

连接器

USB连接器 圆形连接器 汽车连接器 卡边缘连接器 板对板与夹层连接器 FFC、FPC（扁平柔性）连接器 背板连接器 矩形连接器 同轴连接器（射频） 矩形连接器 - 阵列，边缘型，夹层式（板对板）

传感器

板上安装湿度传感器 生物识别传感器 速度传感器 湿度传感器 霍尔效应电流传感器​ 超声波传感器 光学传感器 - 环境光、IR 红外线、UV 紫外线传感器 光学传感器，光电二极管 湿度、湿敏传感器 ​光学探测器和传感器 - 红外探测器 板上安装温度传感器 光学传感器 - 环境光 气体传感器 位置传感器 工业毫米波雷达传感器 汽车毫米波雷达传感器 图像传感器 雷达传感器 运动传感器 - 陀螺仪 超声波接收器、发射器（距离测量） 光学传感器 - 反射式 - 逻辑输出 传感器模块 压力传感器 电流传感器

存储器

NOR 闪存 非易失性存储器 随机存取存储器RAM 静态随机存取存储器SRAM 同步动态随机存取内存SDRAM LPDDR5 uMCP EEPROM 固态硬盘 - SSD 标准串行EEPROM 汽车级串行EEPROM eMMC ​伪静态随机存储器(PSRAM) 可擦除可编程ROM NAND 闪存 通用闪存存储器 - UFS 动态随机存取存储器DRAM 存储器 - 模块

嵌入式和网络处理器

安全处理器
首页 /RF/IF，射频/中频和 RFID/射频衰减器
图片仅供参考，请参阅产品规格
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商品型号：HMC425ALP3E

商品名称：HMC425ALP3E

数据手册：HMC425ALP3E.pdf

品牌：ADI

年份：23+

封装：VFQFN-16

货期：全新原装

库存数量：2000 件

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公司名称：

技术参数

制造商
ADI
型号
HMC425ALP3E
封装
VFQFN-16
描述
射频衰减器 31.5dB 2.2 GHz ~ 8 GHz 16-VFQFN 裸露焊盘

产品描述

HMC425ALP3E 是宽带 6 位砷化镓集成电路数字衰减器，采用低成本无引线表面贴装封装。频率范围为 2.2 GHz 至 8.0 GHz，典型插入损耗小于 4.5 dB。衰减器位值为 0.5 (LSB)、1、2、4、8 和 16 dB，总衰减量为 31.5 dB。衰减精度极佳，典型阶跃误差为 ± 0.5 dB，IIP3 为 +40 dBm。六个控制电压输入可在 0 和 +3 至 +5V 之间切换，用于选择每种衰减状态。


产品特性

0.5 dB LSB 步至 31.5 dB

每位单控制线

± 0.5 dB 典型位误差

单 +5V 电源

3x3 mm SMT 封装


典型应用

WLAN 和点对多点

光纤和宽带电信

微波无线电和 VSAT

军事


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封装

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描述

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射频衰减器 0.25dB ~ 31.75dB 1 MHz ~ 6 GHz 50 Ohms 1.5W 32-WFQFN 裸露焊盘

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Renesas

QFN-20

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射频衰减器 0.5dB ~ 31.5dB 1 MHz ~ 4 GHz 50 Ohms 1.5W 20-WFQFN 裸露焊盘

常见问题

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