商品名称:NCV8189CML120TCG
数据手册:NCV8189CML120TCG.PDF
品牌:ON
年份:23+
封装:8-VDFN
货期:全新原装
库存数量:1000 件
NCV8189CML120TCG是一款 0.5 A LDO、新一代高 PSRR、低噪声和低压差稳压器,具有电源良好集电极开路输出。器件专为满足射频和敏感模拟电路的要求而设计,器件具有低噪声、高 PSRR 和低静态电流的特性,同时还能提供良好的开路集电极输出。该器件还具有出色的负载/线路瞬态性能,采用 4.7 F 输入和输出陶瓷电容器。
产品属性
输出配置:正
输出类型:固定
稳压器数:1
电压 - 输入(最大值):5.5V
电压 - 输出(最小值/固定):1.2V
电流 - 输出:500mA
电流 - 静态 (Iq):55 µA
控制特性:使能,电源良好,软启动
保护功能:过流,超温,短路
工作温度:150°C(TJ)
安装类型:表面贴装,可润湿侧翼
封装/外壳:8-VDFN 裸露焊盘
供应商器件封装:8-DFNW(3x3)
应用
● 通信系统
● 车载网络
● 远程信息处理、信息娱乐和仪表板
● 通用汽车
型号
品牌
封装
数量
描述
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UJ3C120040K3S
UJ3C120040K3S SiC FET 器件基于独特的 “级联 ”电路配置,其中一个常开 SiC JFET 与一个 Si MOSFET 共同封装,从而产生一个常闭 SiC FET 器件。该器件的标准栅极驱动特性使其成为 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超级结器件的真正 “直接替代品”。该器件采用 TO24…UJ3C120070K3S
UJ3C120070K3S SiC FET 器件基于独特的 “级联 ”电路配置,其中一个常开 SiC JFET 与一个 Si MOSFET 共同封装,从而产生一个常闭 SiC FET 器件。该器件的标准栅极驱动特性使其成为 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超级结器件的真正 “直接替代品”。该器件采用 TO24…UF3C120040K3S
UF3C120040K3S SiC FET 器件基于独特的 “级联 ”电路配置,其中一个常开 SiC JFET 与一个 Si MOSFET 共同封装,从而产生一个常闭 SiC FET 器件。该器件的标准栅极驱动特性可真正 “替代 ”硅 IGBT、硅 FET、硅 C MOSFET 或硅超级结器件。该器件采用 T0247-3 封装,具有超…UF3C120040K4S
UF3C120040K4S 是高性能 F3 SiC 快速 JFET,采用级联优化 MOSFET,是目前市场上唯一的标准栅极驱动 SiC 器件。该器件采用 4 端子 T0247- 封装,具有极快的开关速度和类似额定值器件中最佳的反向恢复特性。这些器件非常适合电感负载开关和任何需要标准栅极驱动的应用。UF3…UJ3C065030B3
UJ3C065030B3 SiC FET 器件基于独特的 “级联 ”电路配置,其中一个常开 SiC JFET 与一个 Si MOSFET 共同封装,从而产生一个常闭 SiC FET 器件。该器件的标准栅极驱动特性使其成为 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超结器件的真正 “直接替代品”。该器件采用 DPAK-3L…NVH4L050N170M1
NVH4L050N170M1:1700V、45A、53mohm、碳化硅 (SiC) N通道 MOSFET 晶体管,TO-247-4型号:NVH4L050N170M1封装:TO-247-4类型:碳化硅(SiC)MOSFET 晶体管NVH4L050N170M1 规格参数:FET 类型:N 通道技术:SiC(碳化硅结晶体管)漏源电压(Vdss):1700 V25C 时电流 - 连…电话咨询:86-755-83294757
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