商品名称:SAK-TC3E7QF-192F300S AA
数据手册:SAK-TC3E7QF-192F300S AA.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封装:LFBGA-292
货期:全新原装
库存数量:2000 件
SAK-TC3E7QF-192F300S AA属于AURIX™ TC3Ex系列。AURIX™第二代产品(TC3xx)在性能、内存大小、连接性和更多的可扩展性方面都有提高,以应对新的汽车和工业趋势和挑战。在性能方面,T3Ex提供4个内核,运行频率为300 MHz,嵌入式RAM高达1.5 MBytes,功耗低于2 W。
主要特点:
4个TriCore™在300 MHz下运行(有2个额外的检查器内核提供2700 DMIPS)
所有内核都支持浮点和定点运算
12MB闪存/ECC保护
1.5 MB SRAM / ECC保护
128x DMA通道
1 Gbit以太网
1xCCU6, 1xGPT12
12x CAN FD, 2x FlexRay, 24x LINs, 5x QSPI, 2x I²C, 25x SENT, 5x PSI, 1x HSSL, 3x MSC,4xSTM
eVita全HSM(ECC256和SHA2)
LFBGA-292封装
按照ISO 26262/IEC61508开发和记录,支持高达ASIL-D/SIL3的安全要求
支持AUTOSAR 4.2
单电压供电5V或3.3V
结点温度165°C
待机模式控制器
关键应用:
领域控制器
传感器融合和自主
驾驶计算机
底盘和动力系统
高端网关和车身
域控制器
型号
品牌
封装
数量
描述
INFINEON
BGA
3000
TriCore™ TC17xx 微控制器 IC 32 位单核 240MHz 4MB(4M x 8) 闪存 PG-LFBGA-292-6
ST
LQFP-48
11200
ARM微控制器 - MCU Mainstream Arm Cortex-M0 Value line MCU 256 Kbytes of Flash , 48 MHz CPU
SILICON
QFN-24
5000
CIP-51 8051 Laser Bee 微控制器 IC 8 位 72MHz 32KB(32K x 8) 闪存 24-QFN(3x3)
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英飞凌科技公司于1999年4月1日在德国慕尼黑正式成立,是全球领先的半导体公司之一。其前身是西门子集团的半导体部门,于1999年独立,2000年上市。其中文名称为亿恒科技,2002年后更名为英飞凌科技。 总部位于德国Neubiberg的英飞凌科技股份公司,为现代社会的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一个高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和数据存储器、总线、总线仲裁、中断控制器、外围控制处理器和DMA控制器以及若干片上外设。TC1791旨在满足最苛刻的嵌入式控制系统应用的需要,在这些应用中,价格/性能、实时响应性、计算能…FZ1000R45KL3
FZ1000R45KL3 是 IHV 4500 V、1000 A 130 mm 单开关 IGBT 模块,带有沟槽/场截止 IGBT3、发射极受控 3 二极管和隔离的 AlSiC 底板。FZ1000R45KL3 的特点高直流稳定性高短路能力,自限制短路电流高动态稳定性低 V(CEsat),正温度系数10.2 kV 交流隔离高爬电距离和间隙距…FZ1800R45HL4
FZ1800R45HL4 是 IHV-B 4500 V、1800 A 190 mm 单开关 IGBT 模块,带有沟槽/场截止 IGBT4、发射极受控 4 个二极管和隔离 AlSiC 底板 - 是工业应用的最佳解决方案。FZ1800R45HL4 的特点极低的静态损耗最高的动态鲁棒性高直流稳定性正温度系数的低 VCEsatFZ1800R45HL4 的优…FP75R17N3E4
FP75R17N3E4 是 EconoPIM™3 模块,带有沟槽/场截止 IGBT4 和发射极可控二极管及 NTC。FP75R17N3E4 的特点扩展工作温度 Tvjop低 VcEsat沟槽式 IGBT 4正温度系数 VcEsat集成 NTC 温度传感器隔离底板焊接接触技术标准外壳FP75R17N3E4 的应用电机驱动器FD300R17KE4P
FD300R17KE4P 是 62 mm 1700 V、300 A 斩波器 IGBT4 模块,预涂有热界面材料。FD300R17KE4P 的特点专为变频控制驱动器设计通过 UL/CSA 认证,符合 UL1557 E83336 标准过载能力最高可达 175 C优化的开关性能符合 RoHS 规范FD300R17KE4P 的优点灵活性最佳电气性能最高可靠性…IMZ120R060M1H
IMZ120R060M1H:采用TO247-4封装的1200V,CoolSiC™沟槽式碳化硅 MOSFET 晶体管基本信息:型号:IMZ120R060M1H封装:TO-247-4类型:CoolSiC™ 碳化硅 MOSFET 晶体管概述:IMZ120R060M1H 是采用TO247-4封装的1200V、60mΩ CoolSiC™ SiC MOSFET,它基于先进的沟槽半导体工…电话咨询:86-755-83294757
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