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LM74800MDRRR理想二极管控制器可驱动和控制外部背对背 N 沟道 MOSFET，从而模拟具有电源路径开/关控制和过压保护功能的理想二极管整流器。3V 至 65V 的宽输入电源电压可保护和控制 12V 和 24V 输入供电系统。该器件可以承受并保护负载免受低至 –65V 的负电源电压的影响。集成的理想二极管控制器 (DGATE) 可驱动第一个 MOSFET 来代替肖特基二极管，以实现反向输入保护和输出电压保持。在电源路径中使用了第二个 MOSFET 的情况下，该器件允许负载断开（开/关控制）并使用 HGATE 控制提供过压保护。该器件具有可调节过压切断保护功能。

特性

• 适用于扩展温度范围的应用

– 器件温度：-55°C 至 +125°C 环境工作温度范围

• 3V 至 65V 输入范围

• 反向输入保护低至 –65V

• 在共漏极和共源极配置下，可驱动外部背对背 N 沟道 MOSFET

• 10.5mV 阳极至阴极正向压降调节下，理想二极管正常运行 (LM74800)

• 低反向检测阈值 (–4.5mV)，能够快速响应 (0.5µs)

• 20mA 峰值栅极 (DGATE) 导通电流

• 2.6A 峰值 DGATE 关断电流

• 可调节过压保护

• 2.87µA 低关断电流（EN/UVLO = 低电平）

• 采用节省空间的 12 引脚 WSON 封装

应用

• 航电设备输入反极性保护

– 传感器

– 成像

– 雷达

• 用于冗余电源的有源 ORing

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