商品名称：2EDL8033G4B
数据手册：
2EDL8033G4B.pdf
品牌：INFINEON
年份：23+
封装：VDSON-8-5
货期：全新原装
库存数量：1000 件
2EDL8033G4B设计用于驱动半桥配置中的高压侧和低压侧 MOSFET。浮动高压侧驱动器能够驱动工作电压高达 120 V 的高压侧 MOSFET。版本 4 提供 4 A 电流能力，而版本 3 则提供 3 A 电流能力。高压侧偏置电压通过自举技术产生，使用集成的自举二极管。驱动器的输入与 TTL 逻辑兼容，可承受 -10 V 至 20 V 的输入共模摆幅。独立输入允许独立控制高压侧和低压侧域。高压侧和低压侧电源上的欠压锁定（UVLO）会强制将相应的输出变为低电平。
特性
● 抗噪
● 坚固耐用
应用
● 电机驱动器
● 家用电器
● SMPS
● 电池供电应用
● 大功率照明
型号
品牌
封装
数量
描述
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