商品名称:QPF4206TR13
数据手册:QPF4206TR13.pdf
品牌:Qorvo
年份:23+
封装:QFN
货期:全新原装
库存数量:10000 件
Qorvo®QPF4206是一款集成前端模块(FEM),专为Wi-Fi 6(802.11ax)系统设计。紧凑的外形和集成的匹配最大限度地减少了应用程序中的布局面积。
主要功能
•2412–2484兆赫
•POUT=+19dBm MCS11 HE40-43dB动态EVM
•POUT=+21dBm MCS9 VHT40-35dB动态EVM
•POUT=+22.5dBm MCS7 HT20-30dB动态EVM
•POUT=+25dBm MCS0 HT20光谱掩模合规性
•针对+5 V操作进行了优化
•33 dB Tx增益
•2.1 dB噪声系数
•15 dB Rx增益和6 dB旁路损耗
•Rx路径上的25 dB 5 GHz抑制
•宽量程集成直流功率检测器
应用
•接入点
•无线路由器
•住宅网关
•客户驻地设备
•物联网
型号
品牌
封装
数量
描述
答:所有上架的在线商品均可在线即可下单,但也考虑到现货库存流动性比较大,目前还无法做到100%的精准。如有异常,您可以在线联系我公司并给出对应的 解决方案。
答:我们的自营商品均采自合作的国内外原厂或授权代理商,来源均可追溯,确保原装正品。
答:目前我们自营代理的品牌包含TI,ST,ADI,NXP,LATTICE,CYPRESS,INFINEON,XILINX等一线品牌,其他渠道均为原厂及代理渠道。如有需要,我们可以针对具体品牌型号来沟通确认。
答:可以通过网站上询价,也可以通过电话以及邮箱咨询。
答:大部分商品信息中都有标注货期,您可根据货期估计商品的发货时间,具体到货时间根据商品具体所在的仓库、您所选择的物流方式而定。
答:可以为个人用户开具普通发票,也可以为企业用户开具增值税专用发票。
Qorvo总部位于美国北卡罗来纳州,汇聚30余年的设计经验,全球拥有近8,000名员工。Qorvo在中国具有两大生产基地,位于北京市和山东省德州市。Qorvo(Beijing)成立于2001年6月28日,位于北京亦庄经济技术开发区, 现有员工2400余人;Qorvo(Dezhou)成立于2015年,位于山东省德…
UJ4C075060L8SSB
UJ4C075060L8SSB 是一款 750V、58mohm G4 SiC FET。它采用独特的级联电路配置,将常开 SiC JFET 与 Si MOSFET 共同封装,从而产生常闭 SiC FET 器件。特性导通电阻 RDS(on): 58 欧姆(典型值)工作温度 175℃(最高)出色的反向恢复: Qrr = 70nC低体二极管 VFSD:1.3…UJ4C075060L8SSR
UJ4C075060L8SSR 是一款 750V、58mohm G4 SiC FET。它采用独特的级联电路配置,将常开 SiC JFET 与 Si MOSFET 共同封装,从而产生常闭 SiC FET 器件。特性导通电阻 RDS(on): 58 欧姆(典型值)工作温度 175℃(最高)出色的反向恢复: Qrr = 70nC低体二极管 VFSD:1.3…UJ4C075044L8SSB
UJ4C075044L8SSB 是一款 750V、44mohm G4 SiC FET。它采用独特的级联电路配置,将常开 SiC JFET 与 Si MOSFET 共同封装,从而产生常闭 SiC FET 器件。特性导通电阻 RDS(on): 44 欧姆(典型值)工作温度 175℃(最高)出色的反向恢复能力: Qrr = 89nC低体二极管 VFSD:…UJ4C075044L8SSR
UJ4C075044L8SSR 是一款 750V、44mohm G4 SiC FET。它采用独特的级联电路配置,将常开 SiC JFET 与 Si MOSFET 共同封装,从而产生常闭 SiC FET 器件。特性导通电阻 RDS(on): 44 欧姆(典型值)工作温度 175℃(最高)出色的反向恢复能力: Qrr = 89nC低体二极管 VFSD:…UJ4C075033L8SSR
UJ4C075033L8SSR 是一款 750V、33mohm G4 SiC FET。它采用独特的级联电路配置,将常开 SiC JFET 与 Si MOSFET 共同封装,从而产生常闭 SiC FET 器件。特性导通电阻 RDS(on): 33 欧姆(典型值)工作温度 175℃(最高)出色的反向恢复: Qrr = 89nC低体二极管 VFSD:1.2…UJ4C075033L8SSB
UJ4C075033L8SSB 是一款 750V、33mohm G4 SiC FET。它采用独特的级联电路配置,将常开 SiC JFET 与 Si MOSFET 共同封装,从而产生常闭 SiC FET 器件。特性导通电阻 RDS(on): 33 欧姆(典型值)工作温度 175℃(最高)出色的反向恢复: Qrr = 89nC低体二极管 VFSD:1.2…电话咨询:86-755-83294757
企业QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/ 2850151585
服务时间:9:00-18:00
联系邮箱:chen13410018555@163.com/sales@hkmjd.com
公司地址:广东省深圳市福田区振中路新亚洲国利大厦1239-1241室
CopyRight©2022 版权归明佳达电子公司所有 粤ICP备05062024号-12
官方二维码
友情链接: