商品名称:QPF4550TR13
数据手册:QPF4550TR13.pdf
品牌:Qorvo
年份:23+
封装:QFN
货期:全新原装
库存数量:32000 件
Qorvo QPF4550 5GHz Wi-Fi® 6前端模块 (FEM) 设计用于Wi-Fi 6 (802.11ax) 系统。QPF4550的频率范围为5150MHz至5925MHz,发射增益高达30dB,噪声系数低至2.1dB。QPF4550的紧凑外形和集成匹配特性可最大限度地减少应用中的布局面积。
QPF4550在单一封装中集成有5GHz功率放大器 (PA)、单极双掷开关 (SP2T) 以及可旁路低噪声放大器 (LNA),提供一套简单的解决方案。
产品规格
产品种类:射频前端
类型:Wi-Fi
工作频率:5150 MHz to 5925 MHz
NF—噪声系数:2.1 dB
工作电源电压:5 V
工作电源电流:15 mA
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:2.5 mm x 2.5 mm
开发套件:QPF4550EVB-01
增益:30 dB
湿度敏感性:Yes
P1dB - 压缩点:30 dBm
系列:QPF4550
工厂包装数量: 10000
应用
Wi-Fi 6
接入点
无线路由器
住宅网关
客户端设备
物联网 (IoT)
型号
品牌
封装
数量
描述
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Qorvo总部位于美国北卡罗来纳州,汇聚30余年的设计经验,全球拥有近8,000名员工。Qorvo在中国具有两大生产基地,位于北京市和山东省德州市。Qorvo(Beijing)成立于2001年6月28日,位于北京亦庄经济技术开发区, 现有员工2400余人;Qorvo(Dezhou)成立于2015年,位于山东省德…
UJ4C075060L8SSB
UJ4C075060L8SSB 是一款 750V、58mohm G4 SiC FET。它采用独特的级联电路配置,将常开 SiC JFET 与 Si MOSFET 共同封装,从而产生常闭 SiC FET 器件。特性导通电阻 RDS(on): 58 欧姆(典型值)工作温度 175℃(最高)出色的反向恢复: Qrr = 70nC低体二极管 VFSD:1.3…UJ4C075060L8SSR
UJ4C075060L8SSR 是一款 750V、58mohm G4 SiC FET。它采用独特的级联电路配置,将常开 SiC JFET 与 Si MOSFET 共同封装,从而产生常闭 SiC FET 器件。特性导通电阻 RDS(on): 58 欧姆(典型值)工作温度 175℃(最高)出色的反向恢复: Qrr = 70nC低体二极管 VFSD:1.3…UJ4C075044L8SSB
UJ4C075044L8SSB 是一款 750V、44mohm G4 SiC FET。它采用独特的级联电路配置,将常开 SiC JFET 与 Si MOSFET 共同封装,从而产生常闭 SiC FET 器件。特性导通电阻 RDS(on): 44 欧姆(典型值)工作温度 175℃(最高)出色的反向恢复能力: Qrr = 89nC低体二极管 VFSD:…UJ4C075044L8SSR
UJ4C075044L8SSR 是一款 750V、44mohm G4 SiC FET。它采用独特的级联电路配置,将常开 SiC JFET 与 Si MOSFET 共同封装,从而产生常闭 SiC FET 器件。特性导通电阻 RDS(on): 44 欧姆(典型值)工作温度 175℃(最高)出色的反向恢复能力: Qrr = 89nC低体二极管 VFSD:…UJ4C075033L8SSR
UJ4C075033L8SSR 是一款 750V、33mohm G4 SiC FET。它采用独特的级联电路配置,将常开 SiC JFET 与 Si MOSFET 共同封装,从而产生常闭 SiC FET 器件。特性导通电阻 RDS(on): 33 欧姆(典型值)工作温度 175℃(最高)出色的反向恢复: Qrr = 89nC低体二极管 VFSD:1.2…UJ4C075033L8SSB
UJ4C075033L8SSB 是一款 750V、33mohm G4 SiC FET。它采用独特的级联电路配置,将常开 SiC JFET 与 Si MOSFET 共同封装,从而产生常闭 SiC FET 器件。特性导通电阻 RDS(on): 33 欧姆(典型值)工作温度 175℃(最高)出色的反向恢复: Qrr = 89nC低体二极管 VFSD:1.2…电话咨询:86-755-83294757
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