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ATSAMV70N19B-CB基于ARM的闪存MCU是基于高性能32位ARM® Cortex®-M7处理器（带浮点单元 (FPU)）的一系列闪存MCU。该器件的工作频率高达300MHz，具有高达2048KB的闪存和高达384KB的多端口SRAM。

特性

内核

ARM Cortex-M7，运行频率为300MHz

16KB指令高速缓存和16KB数据高速缓存，带纠错码 (ECC)

单精度和双精度硬件浮点单元 (FPU)

16区内存保护单元 (MPU)

DSP指令、Thumb®-2指令集

嵌入式跟踪模块 (ETM)，带指令跟踪流，包括跟踪端口接口单元 (TPIU)

存储器

高达2048KB嵌入式闪存，具有唯一标识符和用户签名，用于用户定义的数据

高达384KB嵌入式多端口SRAM

紧耦合内存 (TCM) 接口，具有四种配置（禁用、2x32KB、2x64KB、2x128KB）

带嵌入式启动加载程序 (UART0, USB) 和IAP例程的16KB ROM

16位静态存储控制器 (SMC)，支持SRAM、PSRAM、LCD模块、NOR闪存和NAND闪存，具有即时编程功能

16位SDRAM控制器 (SDRAM)，可连接高达256MB内存并具有即时编程功能

产品属性

核心处理器： ARM® Cortex®-M7  

内核规格： 32 位单核  

速度： 300MHz  

连接能力： CANbus，I²C，IrDA，LINbus，MMC/SD/SDIO，QSPI，SPI，SSC，UART/USART，USB  

外设： 欠压检测/复位，DMA，I²S，POR，PWM，WDT  

I/O 数 ：75  

程序存储容量： 512KB（512K x 8）  

程序存储器类型： 闪存  

RAM 大小：256K x 8  

电压 - 供电 (Vcc/Vdd)： 3V ~ 3.6V  

数据转换器： A/D 10x12b；D/A 2x12b  

振荡器类型： 内部  

工作温度： -40°C ~ 105°C（TA）  

安装类型： 表面贴装型  

封装/外壳： 100-TFBGA  

供应商器件封装： 100-TFBGA（9x9）

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