商品名称:NCP51820AMNTWG
数据手册:NCP51820AMNTWG.PDF
品牌:ON
年份:23+
封装:QFN-15
货期:全新原装
库存数量:2650 件
NCP51820AMNTWG 高速栅极驱动器设计用于满足在离线半桥电源拓扑结构中驱动增强模式(e-mode)、高电子迁移率晶体管(HEMT)和栅极注入晶体管(GIT)、氮化镓(GaN)功率开关的严格要求。
特性
• 650 V、集成高压侧和低压侧栅极驱动器
• 推荐用于软开关应用
• VDD 高压侧和低压侧驱动器的 UVLO 保护
• 双 TTL 兼容施密特触发器输入
• 分路输出允许独立的导通/关断调节
• 源能力:1 A;灌电流能力:2 A
• 独立的 HO 和 LO 驱动器输出级
• 针对 GaN 器件优化的 1 ns 上升和下降时间
• SW 和 PGND:负瞬态电压高达 3.5 V
• 针对所有 SW 和 PGND 参考电路的 200 V/ns dV/dt 额定值
• 最大传播延迟小于 50 ns
• 匹配传播延迟小于 5 ns
• 用户可编程死区时间控制
• 热关断 (TSD)
典型应用
• 驱动软开关全桥或半桥、LLC、有源钳位反激或正激、图腾柱 PFC 和同步整流器拓扑中使用的 GaN 功率晶体管
• 工业逆变器和电机驱动器
• 交直流转换器
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