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UCC28C56HQDRQ1器件为高性能电流模式 PWM 控制器，可用于驱动各种应用中的 Si 和 SiC MOSFET。

VDD 绝对最大额定电压从 20V 增加至 30V，便于以理想方式驱动 20Vgs、18Vgs 或 15Vgs SiC MOSFET 的栅极，同时可无需使用外部 LDO。

规格

输出类型： 晶体管驱动器  

功能：升压，降压，升压/降压  

输出配置： 正  

拓扑： 升压，降压，反激，正激，SEPIC

输出数： 1  

输出阶段： 1  

电压 - 供电 (Vcc/Vdd)：15.5V ~ 28V

频率 - 开关： 1MHz  

占空比（最大）： 100%  

同步整流器： 无  

时钟同步： 是  

串行接口： -  

控制特性： 限流，空载时间控制，频率控制，斜坡，软启动

工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）  

安装类型：表面贴装型  

封装/外壳： 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）  

供应商器件封装： 8-SOIC

应用

牵引逆变器高压转低压备用电源

OBC 和直流/直流转换器隔离式偏置电源

HVAC 压缩机高压隔离式电源

交流和直流 EV 充电设备中的单端直流转换器

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  答：所有上架的在线商品均可在线即可下单，但也考虑到现货库存流动性比较大，目前还无法做到100%的精准。如有异常，您可以在线联系我公司并给出对应的 解决方案。

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  答：我们的自营商品均采自合作的国内外原厂或授权代理商，来源均可追溯，确保原装正品。

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  答：可以为个人用户开具普通发票，也可以为企业用户开具增值税专用发票。