商品名称:VNHD7012AYTR
数据手册:VNHD7012AYTR.pdf
品牌:ST
年份:23+
封装:36-PowerFSOP
货期:全新原装
库存数量:3000 件
VNHD7012AYTR 器件是一款用于汽车应用的直流电机驱动器。它集成了一个完全受保护的双高压侧驱动器,以及两个低压侧配置的外部功率 MOSFET 的驱动器和保护功能。
功能特点
通过 AEC-Q100 认证
输出电流:38 A
带 MultiSense 反馈的双全保护 HSD
两个用于外部 LSD 的集成驱动器
3 V CMOS 兼容输入
欠压关断
过压箝位
热关断
负载电流限制
快速热瞬态自限制
交叉电流保护
击穿保护
接地和 VCC 丢失保护
静电放电保护
外部功率 MOSFET 的漏极和源极电压监控,可通过外部电阻进行配置
外部 LSD 的 PWM 操作频率高达 20 kHz
MultiSense 监控功能
模拟电机电流反馈
芯片温度监控
电池电压监控
MultiSense 诊断功能
输出对地短路检测
热关断指示
断态开载检测
输出短路至 VCC 检测
待机模式
半桥操作
用于电池反向保护的充电泵输出
型号
品牌
封装
数量
描述
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概述:STM32H523ZEJ6微控制器采用Arm Cortex-M33内核,并搭载面向Armv8-M的TrustZone技术、DSP和浮点单元 (FPU),运行频率高达250 MHz。STM32H523ZEJ6具有512KB的Flash存储器、272 KB SRAM,采用144引脚的UFBGA封装。规格核心处理器:ARM Cortex-M33内核规格:32-位速度:…STM32H523VET6
概述:STM32H523VET6微控制器采用Arm Cortex-M33内核,并搭载面向Armv8-M的TrustZone技术、DSP和浮点单元 (FPU),运行频率高达250 MHz。STM32H523VET6具有512KB的Flash存储器、272 KB SRAM,采用100引脚的LQFP封装。规格核心处理器:ARM Cortex-M33内核规格:32-位速度:…STM32H523VEI6
概述:STM32H523VEI6微控制器采用Arm Cortex-M33内核,并搭载面向Armv8-M的TrustZone技术、DSP和浮点单元 (FPU),运行频率高达250 MHz。STM32H523VEI6具有512KB的Flash存储器、272 KB SRAM,采用100引脚的UFBGA封装。规格核心处理器:ARM Cortex-M33内核规格:32-位速度:…STM32H523RET6
概述:STM32H523RET6 微控制器采用Arm Cortex-M33内核,并搭载面向Armv8-M的TrustZone技术、DSP和浮点单元 (FPU),运行频率高达250 MHz。STM32H523RET6具有512KB的Flash存储器、272 KB SRAM,采用64引脚的LQFP封装。规格核心处理器:ARM Cortex-M33内核规格:32-位速度:…电话咨询:86-755-83294757
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