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LM5060QDGSRQ1高压侧保护控制器可在正常开/关转换和故障条件下对高压侧 N 沟道 MOSFET 进行智能控制。浪涌电流由输出电压近乎恒定的上升时间控制。当输出电压达到输入电压且 MOSFET 完全导通时，POWER GOOD 输出将显示。提供输入 UVLO（带滞后）和可编程输入 OVP。使能输入提供远程开启或关闭控制。可编程 UVLO 输入可用作第二个使能输入，以实现安全冗余。单个电容器可编程初始启动 VGS 故障检测延迟时间、过渡 VDS 故障检测延迟时间和持续过流 VDS 故障检测延迟时间。当检测到的故障条件持续时间超过允许的故障延迟时间时，MOSFET 将被锁定，直到使能输入或 UVLO 输入被切换为低电平，然后再切换为高电平。

器件特性

提供汽车级/AEC Q-100 版本

宽工作输入电压范围：5.5 V 至 65 V

支持功能安全

提供有助于功能安全系统设计的文档

禁用模式下静态电流小于 15µA

输出上升时间受控，可安全连接电容性负载

用于外部 N 沟道 MOSFET 的充电泵栅极驱动器

带滞后的可调欠压锁定 (UVLO)

UVLO 可用作需要安全冗余的系统的第二个使能输入端

可编程故障检测延迟时间

检测到负载故障后，MOSFET 锁定关断

低电平有源漏极开路 POWER GOOD (nPGD) 输出

可调输入过压保护 (OVP)

过压关断后立即重启

10 引脚 VSSOP

应用

汽车车身电子设备

工业配电和控制

• 1.平台上看到的库存、价格准确吗？

  答：所有上架的在线商品均可在线即可下单，但也考虑到现货库存流动性比较大，目前还无法做到100%的精准。如有异常，您可以在线联系我公司并给出对应的 解决方案。

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  答：可以通过网站上询价，也可以通过电话以及邮箱咨询。

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