商品名称:VNH7070BASTR
数据手册:VNH7070BASTR.pdf
品牌:ST
年份:23+
封装:16-SOIC
货期:全新原装
库存数量:3000 件
VNH7070BASTR 器件是一款全桥电机驱动器,适用于各种汽车应用。该器件集成了一个双单片高压侧驱动器和两个低压侧开关。
特性
通过 AEC-Q100 认证
输出电流:15 A
3 V CMOS 兼容输入
欠压关断
过压箝位
热关断
交叉传导保护
电流和功率限制
待机功耗极低
接地保护和 VCC 丢失保护
PWM 操作频率高达 20 kHz
CS 诊断功能
模拟电机电流反馈
输出对地短路检测
热关断指示
断态开载检测
输出短路至 VCC 检测
输出保护,防止接地短路和 VCC 短路
待机模式
半桥操作
型号
品牌
封装
数量
描述
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HFA80A-F2Y
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概述:STM32H523ZEJ6微控制器采用Arm Cortex-M33内核,并搭载面向Armv8-M的TrustZone技术、DSP和浮点单元 (FPU),运行频率高达250 MHz。STM32H523ZEJ6具有512KB的Flash存储器、272 KB SRAM,采用144引脚的UFBGA封装。规格核心处理器:ARM Cortex-M33内核规格:32-位速度:…STM32H523VET6
概述:STM32H523VET6微控制器采用Arm Cortex-M33内核,并搭载面向Armv8-M的TrustZone技术、DSP和浮点单元 (FPU),运行频率高达250 MHz。STM32H523VET6具有512KB的Flash存储器、272 KB SRAM,采用100引脚的LQFP封装。规格核心处理器:ARM Cortex-M33内核规格:32-位速度:…STM32H523VEI6
概述:STM32H523VEI6微控制器采用Arm Cortex-M33内核,并搭载面向Armv8-M的TrustZone技术、DSP和浮点单元 (FPU),运行频率高达250 MHz。STM32H523VEI6具有512KB的Flash存储器、272 KB SRAM,采用100引脚的UFBGA封装。规格核心处理器:ARM Cortex-M33内核规格:32-位速度:…STM32H523RET6
概述:STM32H523RET6 微控制器采用Arm Cortex-M33内核,并搭载面向Armv8-M的TrustZone技术、DSP和浮点单元 (FPU),运行频率高达250 MHz。STM32H523RET6具有512KB的Flash存储器、272 KB SRAM,采用64引脚的LQFP封装。规格核心处理器:ARM Cortex-M33内核规格:32-位速度:…电话咨询:86-755-83294757
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