深圳市明佳达电子有限公司全新原装出售碳化硅MOSFET C2M0280120D 碳化硅功率 MOSFET C2MTM MOSFET 技术 N 沟道增强模式优势• 系统效率更高• 降低冷却要求• 提高功率密度• 提高系统开关频率产品属性（C2M0280120D）制造商: Wolfspeed 产品种类: 碳化硅MOSFET 通道模
深圳市明佳达电子有限公司全新原装出售碳化硅MOSFET C2M0280120D 碳化硅功率 MOSFET C2MTM MOSFET 技术 N 沟道增强模式
优势
• 系统效率更高
• 降低冷却要求
• 提高功率密度
• 提高系统开关频率
应用领域
• 太阳能逆变器和储能
• 车载和快速直流电动汽车充电系统
• 电机控制和驱动
• 焊接和感应加热
• 辅助电源
• 高压DC/DC转换器
产品属性（C2M0280120D）
制造商: Wolfspeed
产品种类: 碳化硅MOSFET
通道模式: Enhancement
配置: Single
下降时间: 9.9 ns
正向跨导 - 最小值: 2.8 S
Id-连续漏极电流: 10 A
最大工作温度: + 150 C
最小工作温度: - 55 C
安装风格: Through Hole
通道数量: 1 Channel
封装 / 箱体: TO-247-3
Pd-功率耗散: 62.5 W
产品类型: SiC MOSFETS
Qg-栅极电荷: 5.6 nC
Rds On-漏源导通电阻: 280 mOhms
上升时间: 7.6 ns
工厂包装数量: 30
技术: SiC
商标名: Z-FET
晶体管极性: N-Channel
典型关闭延迟时间: 10.8 ns
典型接通延迟时间: 5.2 ns
Vds-漏源极击穿电压: 1.2 kV
Vgs - 栅极-源极电压: - 10 V, + 25 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.8 V
单位重量: 6 g
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