S25HS02GTFABHB053 是英飞凌 SEMPER™ NOR 闪存汽车系列的一员。它采用四 SPI 接口，接口带宽为 102 MByte/s，密度为 2 Gbit。它采用 1.8V 工作电压和 HS-T 封装。该器件符合 ISO 26262 标准，支持 SDR (166 MHz) 和 DDR (102 MHz) 接口频率。详细数据存储在 PG-BGA-24 英飞凌封装中。
S25HS02GTFABHB053 的特点
四路 SPI
集成关键安全功能
纠错码
10 年以上的产品可用性
25 年数据保存期
安全启动和诊断
型号
品牌
封装
数量
描述
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英飞凌科技公司于1999年4月1日在德国慕尼黑正式成立，是全球领先的半导体公司之一。其前身是西门子集团的半导体部门，于1999年独立，2000年上市。其中文名称为亿恒科技，2002年后更名为英飞凌科技。 总部位于德国Neubiberg的英飞凌科技股份公司，为现代社会的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一个高性能的微控制器，具有TriCore CPU、程序和数据存储器、总线、总线仲裁、中断控制器、外围控制处理器和DMA控制器以及若干片上外设。TC1791旨在满足最苛刻的嵌入式控制系统应用的需要，在这些应用中，价格/性能、实时响应性、计算能…
BTS3410G
BTS3410G 是英飞凌推出的智能低侧功率开关，采用 HITFET 技术 和 N沟道垂直功率MOSFET 设计，适用于 12V DC 电源系统中的电阻性、感性和容性负载开关控制。
BSP613P
BSP613P 是英飞凌 SIPMOS 系列的 P 沟道增强型小信号 MOSFET，采用沟槽（Trench）工艺制造，专为 60 V 中压、2.9 A 级别的负载开关、反向极性保护及高侧驱动而设计。
S29GL01GT10FHI010
S29GL01GT10FHI010 是 一款 1Gb（128M 8 位）并行 NOR Flash 存储器，采用 64-FBGA（1311mm） 封装。
BSC059N04LS6
BSC059N04LS6 采用英飞凌第六代 OptiMOS™ 工艺，在 5 mm 6 mm 的 TDSON-8 表面贴装封装内实现极低导通电阻与低栅极电荷，专为高效率 DC-DC 降压、同步整流及电机驱动而优化。
IPLU300N04S4-R8
IPLU300N04S4-R8 基于英飞凌 OptiMOS™ 5 技术，专为高电流、高密度汽车应用而设计。电话咨询：86-755-83294757
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