IPDQ60R015CFD7:600V,CoolMOS™ CFD7 N-通道功率MOSFET晶体管,PG-HDSOP-22
型号:IPDQ60R015CFD7
封装:PG-HDSOP-22
类型:N-通道功率MOSFET晶体管
IPDQ60R015CFD7 - 产品规格:
系列:CoolMOS™
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):149A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):15 毫欧 @ 58.2A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 2.91mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):251 nC @ 10 V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):9900 pF @ 400 V
功率耗散(最大值):657W(Tc)
工作温度:55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:PG-HDSOP-22-1
封装/外壳:22-PowerBSOP 模块
应用:
服务器
电动汽车充电
SMPS
PC 电源
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描述
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