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IPT026N12NM6这是一款采用 TO 无引线封装的普通级 120 V MOSFET，导通电阻为 2.6 mOhm。

与 OptiMOS™ 3 相比，该技术的特点是：RDS(on)最多可提高 58%，FOMg 最多可提高 66%，Qrr 最多可提高 90%，FOMoss 最多可提高 35%。IPT026N12NM6 属于英飞凌 OptiMOS™ 6 功率 MOSFET 系列。

IPT026N12NM6特征

- N 沟道，正常电平

- 极低的导通电阻 RDS(on)

- 出色的栅极电荷 x R 积（FOM） DS(on)

- 极低的反向恢复电荷 (Q )rr

- 雪崩能量等级高

- 175°C 工作温度

- 针对高频开关进行了优化

- 无铅电镀；符合 RoHS 规范

- 无卤素，符合 IEC61249-2-21 标准

- 符合 J-STD-020 的 MSL 1 级标准

IPT026N12NM6产品属性

制造商： Infineon Technologies  

系列： OptiMOS™ 6  

FET 类型： N 通道  

技术： MOSFET（金属氧化物）  

漏源电压（Vdss）： 120 V  

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 23A（Ta），224A（Tc）  

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 8V，10V  

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.6 毫欧 @ 115A，10V  

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.6V @ 169µA  

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 88 nC @ 10 V  

Vgs（最大值）： ±20V  

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6500 pF @ 60 V  

功率耗散（最大值）： 3W（Ta），283W（Tc）  

工作温度： -55°C ~ 175°C（TJ）  

安装类型： 表面贴装型  

供应商器件封装： PG-HSOF-8-1  

封装/外壳： 8-PowerSFN 

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  答：所有上架的在线商品均可在线即可下单，但也考虑到现货库存流动性比较大，目前还无法做到100%的精准。如有异常，您可以在线联系我公司并给出对应的 解决方案。

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